Transistorit - IGBT-moduulit

MWI35-12A7T

osa: 1102

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 62A, Teho - maks: 280W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 35A,

VID160-12P1

osa: 427

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 169A, Teho - maks: 694W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 160A,

MWI50-06A7T

osa: 1091

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 72A, Teho - maks: 225W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

IXGN82N120B3H1

osa: 1981

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 145A, Teho - maks: 595W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A,

IXGN50N120C3H1

osa: 2544

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 95A, Teho - maks: 460W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 40A,

MID400-12E4

osa: 357

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 420A, Teho - maks: 1700W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A,

IXGN100N160A

osa: 1663

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A,

VS-GA200SA60SP

osa: 637

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Teho - maks: 781W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A,

VS-GA100TS120UPBF

osa: 3077

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 182A, Teho - maks: 520W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A,

VS-GT400TH120U

osa: 620

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 750A, Teho - maks: 2344W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 400A,

FF200R33KF2CNOSA1

osa: 629

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 330A, Teho - maks: 2200W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A,

F3L300R12PT4B26COSA1

osa: 493

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 460A, Teho - maks: 1650W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

FS75R12W2T4BOMA1

osa: 322

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 107A, Teho - maks: 375W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FZ1200R12HP4HOSA2

osa: 566

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1790A, Teho - maks: 7150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1200A,

IRG5K100HF12B

osa: 582

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 780W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A,

FS20R06VE3B2BOMA1

osa: 288

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Teho - maks: 71.5W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A,

FP25R12U1T4BPSA1

osa: 418

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 39A, Teho - maks: 190W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A,

FB20R06W1E3BOMA1

osa: 341

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 29A, Teho - maks: 94W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A,

FD400R33KF2CNOSA1

osa: 603

Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 660A, Teho - maks: 4800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 400A,

FZ1200R12HE4PHPSA1

osa: 575

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1825A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 1200A,

FD1200R17HP4KB2BOSA2

osa: 638

FF200R12KS4PHOSA1

osa: 411

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 275A, Teho - maks: 1400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

IRG7U100HF12A

osa: 667

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 580W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A,

FF300R07KE4HOSA1

osa: 435

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Teho - maks: 940W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A,

DDB6U75N16W1RBOMA1

osa: 322

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 69A, Teho - maks: 335W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

CM100TX-24S

osa: 547

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 750W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A,

CM400HU-24H

osa: 417

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 2100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 400A,

CM200TU-12F

osa: 489

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 590W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

CM400DY-24NF

osa: 590

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1470W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 400A,

CM150DU-12H

osa: 570

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A,

CM1400DUC-24NF

osa: 140

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1400A, Teho - maks: 8900W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 1400A,

CM400DY-34A

osa: 557

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 3780W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 400A,

CM200DY-28H

osa: 567

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 1500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 200A,

CM150DY-34A

osa: 432

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 1600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 150A,

CM300DX-24S

osa: 591

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 2270W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

FP7G50US60

osa: 495

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,