Transistorit - IGBT-moduulit

FP15R12KE3BOMA1

osa: 341

DF75R12W1H4FB11BOMA2

osa: 390

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 25A,

F3L50R06W1E3B11BOMA1

osa: 329

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 175W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

FF300R17ME4B11BOSA1

osa: 472

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 375A, Teho - maks: 1800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A,

IRG7T150CL12B

osa: 606

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 910W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

FS150R12KT4PB11BPSA1

osa: 495

IRG5K50FF06E

osa: 643

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 245W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

FF300R12ME3BOSA1

osa: 406

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500A, Teho - maks: 1450W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

IRG5U75HH12E

osa: 3109

Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Teho - maks: 540W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 75A,

FZ2400R12HE4PB9HPSA1

osa: 607

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 2400A,

FS50R06W1E3BOMA1

osa: 313

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 205W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

DD1200S12H4HOSA1

osa: 570

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1200A, Teho - maks: 1200000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 1200A,

FS50R07N2E4BOSA1

osa: 298

Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 190W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A,

FF200R12KT3HOSA1

osa: 371

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Teho - maks: 1050W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A,

IRG5K100HF12A

osa: 598

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 620W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A,

PS3GFANSET30600NOSA1

osa: 627

FF300R17ME4PB11BPSA1

osa: 483

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A,

CM150TL-12NF

osa: 540

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 730W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

CM20TF-24H

osa: 564

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A,

CM400DU-12F

osa: 397

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 960W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

CM150TX-24S

osa: 373

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 1150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A,

CM800DY-24S

osa: 187

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 790A, Teho - maks: 5355W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 800A,

CM200DY-34A

osa: 358

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 1980W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 200A,

CM300HA-12H

osa: 508

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 1100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A,

QID1210005

osa: 565

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 730W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 6.5V @ 15V, 100A,

CM200DY-12H

osa: 334

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 780W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 200A,

CM600DY-24A

osa: 214

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 3670W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 600A,

CM400HX-24A

osa: 507

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 2450W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 400A,

VS-GT100LA120UX

osa: 607

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 134A, Teho - maks: 463W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A,

MIXA225PF1200TSF

osa: 673

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 360A, Teho - maks: 1100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 225A,

IXSN80N60BD1

osa: 437

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Teho - maks: 420W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 80A,

MWI50-12E7

osa: 439

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Teho - maks: 350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

IXYN100N120B3H1

osa: 2418

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 165A, Teho - maks: 690W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A,

FMS6G10US60S

osa: 375

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Teho - maks: 66W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A,

FP7G75US60

osa: 290

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 310W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A,

FMG2G100US60

osa: 395

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,