Transistorit - IGBT-moduulit

MIXA40W1200TMH

osa: 1520

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Teho - maks: 195W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

MIXA225RF1200TSF

osa: 948

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 360A, Teho - maks: 1100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 225A,

MWI50-12E6K

osa: 426

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 51A, Teho - maks: 210W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 35A,

MIXA150Q1200VA

osa: 1595

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Teho - maks: 695W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

CM15TF-24H

osa: 333

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Teho - maks: 150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A,

CM300DX-24A

osa: 509

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 1890W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A,

CM100RX-12A

osa: 485

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

CM600HA-24H

osa: 514

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 4100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 600A,

CM75RL-12NF

osa: 604

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 430W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

CM50TF-12H

osa: 511

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

CM300DY-24NF

osa: 548

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 1130W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 300A,

CM100RX-24S

osa: 535

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 750W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

CM1200HA-24J

osa: 552

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1200A, Teho - maks: 5800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1200A,

CM75DY-28H

osa: 545

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 75A,

FF150R12KS4HOSA1

osa: 379

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 225A, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

FS10R12YE3BOMA1

osa: 308

FS800R07A2E3B31BOSA1

osa: 194

FS75R12W2T4B11BOMA1

osa: 414

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 107A, Teho - maks: 375W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FS300R17KE3BOSA1

osa: 547

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 375A, Teho - maks: 1650W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

FF450R17ME4PBOSA1

osa: 504

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A,

FS225R17OE4PBOSA1

osa: 535

IRG7U75HF12A

osa: 646

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 450W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A,

FF200R17KE3HOSA1

osa: 862

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 310A, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A,

FD1000R17IE4BOSA2

osa: 552

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Teho - maks: 6250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A,

FS150R12KT4B11BOSA1

osa: 438

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 750W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

FS300R12KE3BOSA1

osa: 3087

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500A, Teho - maks: 1450W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

FZ1200R17HE4PHPSA1

osa: 555

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A,

DF100R07W1H5FPB54BPSA2

osa: 313

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A,

FS150R12PT4BOSA1

osa: 430

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 680W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A,

DF100R07W1H5FPB53BPSA2

osa: 351

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A,

FMG2G75US60

osa: 431

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 310W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A,

FMS7G10US60S

osa: 378

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Teho - maks: 66W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A,

VS-CPV364M4KPBF

osa: 1291

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Teho - maks: 63W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 24A,

VS-GB100TS60NPBF

osa: 846

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 108A, Teho - maks: 390W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A,

VS-GA200HS60S1

osa: 633

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 480A, Teho - maks: 830W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A,

VS-GA200HS60S1PBF

osa: 552

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 480A, Teho - maks: 830W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A,