Transistorit - IGBT-moduulit

IRG7T300HF12B

osa: 632

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 570A, Teho - maks: 1600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

FF300R06KE3HOSA1

osa: 360

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 940W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

F4150R17ME4B11BPSA1

osa: 359

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 230A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A,

FF450R12ME3BOSA1

osa: 444

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 2100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A,

FS30R06VE3BOMA1

osa: 335

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 34A, Teho - maks: 88W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A,

FS100R17PE4BOSA1

osa: 468

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A,

DF200R12W1H3FB11BOMA1

osa: 3133

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A,

FZ600R12KS4HOSA1

osa: 441

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 700A, Teho - maks: 3900W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 600A,

FF400R12KT3PEHOSA1

osa: 433

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A,

FS50R12W2T4B11BOMA1

osa: 373

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 83A, Teho - maks: 335W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

FF300R12KT3PEHOSA1

osa: 383

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

FS30R06XL4BOMA1

osa: 352

Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Teho - maks: 119W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 30A,

IRG5U100HF06A

osa: 653

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Teho - maks: 400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 100A,

FS150R07PE4BOSA1

osa: 449

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 430W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A,

FS20R06VE3BOMA1

osa: 308

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Teho - maks: 71.5W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A,

IRG5K200HF12B

osa: 622

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A,

FS300R12OE4BOSA1

osa: 516

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 460A, Teho - maks: 1650W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

CM200DX-24A

osa: 502

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A,

MG400J2YS61A

osa: 546

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 2160W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

CM75MXA-24S

osa: 519

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

CM200E3U-12H

osa: 346

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 650W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A,

CM50TF-24H

osa: 532

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 50A,

IXYN82N120C3H1

osa: 1880

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 105A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A,

VII25-12P1

osa: 3082

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Teho - maks: 130W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 25A,

MIXA40W1200TML

osa: 1610

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Teho - maks: 195W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

IXXN110N65C4H1

osa: 2992

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 210A, Teho - maks: 750W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A,

IXB80IF600NA

osa: 3122

IXA27IF1200HJ

osa: 9319

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 43A, Teho - maks: 150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

VS-GT175DA120U

osa: 735

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 288A, Teho - maks: 1087W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

VS-GT300FD060N

osa: 169

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Level Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 379A, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 300A,

VS-GP250SA60S

osa: 2995

IGBT-tyyppi: PT, Trench, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 380A, Teho - maks: 893W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A,

VS-CPV364M4FPBF

osa: 1364

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 27A, Teho - maks: 63W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 15A,

VS-GT105NA120UX

osa: 640

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 134A, Teho - maks: 463W,

MG06200S-BN4MM

osa: 873

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 200A (Typ),

MG12300D-BN3MM

osa: 430

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 1450W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 300A,

FMS7G10US60

osa: 319

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Teho - maks: 66W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A,