Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - ohjelmoitava liitoskohta

2N6027
Central Semiconductor Corp

2N6027

osa: 76016

Jännite: 40V, Tehohäviö (maks.): 300mW, Jännite - lähtö: 6V, Jännite - siirtymä (Vt): 1.6V, Nykyinen - portti anodivuotoon (Igao): 10nA, Nykyinen - Valley (Iv): 50µA,

Toivelistaan
2N6028
Central Semiconductor Corp

2N6028

osa: 75982

Jännite: 40V, Tehohäviö (maks.): 300mW, Jännite - lähtö: 6V, Jännite - siirtymä (Vt): 600mV, Nykyinen - portti anodivuotoon (Igao): 10nA, Nykyinen - Valley (Iv): 25µA,

Toivelistaan
CMPP6028 TR
Central Semiconductor Corp

CMPP6028 TR

osa: 54052

Jännite: 40V, Tehohäviö (maks.): 167mW, Jännite - lähtö: 6V, Jännite - siirtymä (Vt): 600mV, Nykyinen - portti anodivuotoon (Igao): 10nA, Nykyinen - Valley (Iv): 25µA,

Toivelistaan
2N6028RLRMG
ON Semiconductor

2N6028RLRMG

osa: 2509

Jännite: 40V, Tehohäviö (maks.): 300mW, Jännite - lähtö: 11V, Jännite - siirtymä (Vt): 600mV, Nykyinen - portti anodivuotoon (Igao): 10nA, Nykyinen - Valley (Iv): 25µA,

Toivelistaan
2N6028RLRPG
ON Semiconductor

2N6028RLRPG

osa: 2537

Jännite: 40V, Tehohäviö (maks.): 300mW, Jännite - lähtö: 11V, Jännite - siirtymä (Vt): 600mV, Nykyinen - portti anodivuotoon (Igao): 10nA, Nykyinen - Valley (Iv): 25µA,

Toivelistaan
2N6027RL1G
ON Semiconductor

2N6027RL1G

osa: 2538

Jännite: 40V, Tehohäviö (maks.): 300mW, Jännite - lähtö: 11V, Jännite - siirtymä (Vt): 1.6V, Nykyinen - portti anodivuotoon (Igao): 10nA, Nykyinen - Valley (Iv): 50µA,

Toivelistaan
2N6028RLRP
ON Semiconductor

2N6028RLRP

osa: 2531

Jännite: 40V, Tehohäviö (maks.): 300mW, Jännite - lähtö: 11V, Jännite - siirtymä (Vt): 600mV, Nykyinen - portti anodivuotoon (Igao): 10nA, Nykyinen - Valley (Iv): 25µA,

Toivelistaan
2N6027RL1
ON Semiconductor

2N6027RL1

osa: 2482

Jännite: 40V, Tehohäviö (maks.): 300mW, Jännite - lähtö: 11V, Jännite - siirtymä (Vt): 1.6V, Nykyinen - portti anodivuotoon (Igao): 10nA, Nykyinen - Valley (Iv): 50µA,

Toivelistaan
2N6028G
ON Semiconductor

2N6028G

osa: 2534

Jännite: 40V, Tehohäviö (maks.): 300mW, Jännite - lähtö: 11V, Jännite - siirtymä (Vt): 600mV, Nykyinen - portti anodivuotoon (Igao): 10nA, Nykyinen - Valley (Iv): 25µA,

Toivelistaan
2N6027G
ON Semiconductor

2N6027G

osa: 2493

Jännite: 40V, Tehohäviö (maks.): 300mW, Jännite - lähtö: 11V, Jännite - siirtymä (Vt): 1.6V, Nykyinen - portti anodivuotoon (Igao): 10nA, Nykyinen - Valley (Iv): 50µA,

Toivelistaan
2N6028RLRAG
ON Semiconductor

2N6028RLRAG

osa: 2505

Jännite: 40V, Tehohäviö (maks.): 300mW, Jännite - lähtö: 11V, Jännite - siirtymä (Vt): 600mV, Nykyinen - portti anodivuotoon (Igao): 10nA, Nykyinen - Valley (Iv): 25µA,

Toivelistaan
2N6027RLRAG
ON Semiconductor

2N6027RLRAG

osa: 2518

Jännite: 40V, Tehohäviö (maks.): 300mW, Jännite - lähtö: 11V, Jännite - siirtymä (Vt): 1.6V, Nykyinen - portti anodivuotoon (Igao): 10nA, Nykyinen - Valley (Iv): 50µA,

Toivelistaan
2N6028RLRA
ON Semiconductor

2N6028RLRA

osa: 2522

Jännite: 40V, Tehohäviö (maks.): 300mW, Jännite - lähtö: 11V, Jännite - siirtymä (Vt): 600mV, Nykyinen - portti anodivuotoon (Igao): 10nA, Nykyinen - Valley (Iv): 25µA,

Toivelistaan
2N6027RLRA
ON Semiconductor

2N6027RLRA

osa: 2457

Jännite: 40V, Tehohäviö (maks.): 300mW, Jännite - lähtö: 11V, Jännite - siirtymä (Vt): 1.6V, Nykyinen - portti anodivuotoon (Igao): 10nA, Nykyinen - Valley (Iv): 50µA,

Toivelistaan