Transistorit - IGBT-moduulit

MWI30-12E6K

osa: 431

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 29A, Teho - maks: 130W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 20A,

MWI75-12E8

osa: 419

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A,

IXA90IF650NA

osa: 2859

MIXA80W1200TEH

osa: 691

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Teho - maks: 390W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 77A,

MIXA81H1200EH

osa: 894

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Teho - maks: 390W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 77A,

VIO25-06P1

osa: 430

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24.5A, Teho - maks: 82W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 25A,

MKI75-12E8

osa: 393

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A,

MUBW10-06A6

osa: 3087

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 11A, Teho - maks: 45W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A,

MIAA20WE600TMH

osa: 2067

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 29A, Teho - maks: 100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A,

MWI45-12T6K

osa: 1491

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 43A, Teho - maks: 160W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A,

MIXA30WB1200TED

osa: 1281

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 43A, Teho - maks: 150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

F4100R06KL4BOSA1

osa: 358

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Teho - maks: 430W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 100A,

F3L75R07W2E3B11BOMA1

osa: 401

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 95A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

IFS150V12PT4BOSA1

osa: 565

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A,

FF400R12KT3HOSA1

osa: 405

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 580A, Teho - maks: 2000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A,

F3L225R07W2H3PB63BPSA1

osa: 376

IRG7U150HF12B

osa: 3116

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 900W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A,

F450R12KS4B11BOSA1

osa: 351

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 355W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 50A,

F3L300R12ME4B22BOSA1

osa: 430

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 1550W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

IRG7T200CL12B

osa: 608

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 390A, Teho - maks: 1060W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

DDB6U180N16RR

osa: 359

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Dual Brake Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 140A, Teho - maks: 515W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

IRG7U50HF12A

osa: 3076

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 310W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A,

FS150R12KT3BOSA1

osa: 3044

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 700W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A,

FZ1200R12KF4NOSA1

osa: 290

FS200R07A1E3BOSA1

osa: 594

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 250A, Teho - maks: 790W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

FS225R12OE4PBOSA1

osa: 568

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A,

CM300DU-12F

osa: 515

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 830W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

CM50DU-24H

osa: 573

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

CM300DX-12A

osa: 543

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 960W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

MG12450WB-BN2MM

osa: 419

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 1950W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 450A (Typ),

VS-GB70NA60UF

osa: 625

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 111A, Teho - maks: 447W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.44V @ 15V, 70A,

VS-EMG050J60N

osa: 632

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 88A, Teho - maks: 338W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

VS-GA250SA60S

osa: 962

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 961W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.66V @ 15V, 200A,

VS-GT100DA120U

osa: 550

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 258A, Teho - maks: 893W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

FPF2C8P2NL07A

osa: 1001

IGBT-tyyppi: Field Stop, Kokoonpano: Three Phase, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Teho - maks: 135W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A,

FMG1G100US60H

osa: 409

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,