Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - esijän

ADC124EUQ-7
Diodes Incorporated

ADC124EUQ-7

osa: 102169

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

Toivelistaan
ACX114YUQ-13R
Diodes Incorporated

ACX114YUQ-13R

osa: 122236

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, 47 kOhms,

Toivelistaan
ADC124EUQ-13
Diodes Incorporated

ADC124EUQ-13

osa: 174294

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

Toivelistaan
ADA114EUQ-7
Diodes Incorporated

ADA114EUQ-7

osa: 198421

Transistorin tyyppi: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, 10 kOhms,

Toivelistaan
ACX124EUQ-7R
Diodes Incorporated

ACX124EUQ-7R

osa: 171910

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

Toivelistaan
ADA114YUQ-7
Diodes Incorporated

ADA114YUQ-7

osa: 112948

Transistorin tyyppi: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

Toivelistaan
ADC114YUQ-7
Diodes Incorporated

ADC114YUQ-7

osa: 176159

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

Toivelistaan
ACX114YUQ-7R
Diodes Incorporated

ACX114YUQ-7R

osa: 162673

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, 47 kOhms,

Toivelistaan
ADA114EUQ-13
Diodes Incorporated

ADA114EUQ-13

osa: 149878

Transistorin tyyppi: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, 10 kOhms,

Toivelistaan
ADA114YUQ-13
Diodes Incorporated

ADA114YUQ-13

osa: 147362

Transistorin tyyppi: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

Toivelistaan
ADC144EUQ-13
Diodes Incorporated

ADC144EUQ-13

osa: 21546

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
ACX124EUQ-13R
Diodes Incorporated

ACX124EUQ-13R

osa: 121902

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

Toivelistaan
ADC114YUQ-13
Diodes Incorporated

ADC114YUQ-13

osa: 121085

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

Toivelistaan
BCR35PNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNH6327XTSA1

osa: 152076

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR 48PN H6727
Infineon Technologies

BCR 48PN H6727

osa: 1466

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70mA, 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR 141S H6727
Infineon Technologies

BCR 141S H6727

osa: 1531

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR35PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6327BTSA1

osa: 1529

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR 22PN H6727
Infineon Technologies

BCR 22PN H6727

osa: 1468

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR 148S H6827
Infineon Technologies

BCR 148S H6827

osa: 1537

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR 133S H6444
Infineon Technologies

BCR 133S H6444

osa: 1441

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR 141S E6727
Infineon Technologies

BCR 141S E6727

osa: 1506

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR 116S H6727
Infineon Technologies

BCR 116S H6727

osa: 3210

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR 116S E6727
Infineon Technologies

BCR 116S E6727

osa: 1473

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR108SH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR108SH6433XTMA1

osa: 1470

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR08PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR08PNE6327BTSA1

osa: 1495

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR48PNE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6433BTMA1

osa: 1457

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70mA, 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR48PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6327BTSA1

osa: 3149

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70mA, 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR35PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6433HTMA1

osa: 1427

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR22PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6433HTMA1

osa: 1454

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR198SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR198SE6327BTSA1

osa: 1473

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR22PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6327BTSA1

osa: 1505

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR185SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR185SE6327BTSA1

osa: 1465

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR183SE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR183SE6433BTMA1

osa: 1484

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR185SB6327XT
Infineon Technologies

BCR185SB6327XT

osa: 1459

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR183SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR183SE6327BTSA1

osa: 1440

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
BCR169SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR169SE6327BTSA1

osa: 1509

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan