Transistorit - IGBT-moduulit

CM1000DU-34NF

osa: 3077

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1000A, Teho - maks: 3900W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1000A,

CM75TF-28H

osa: 562

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 75A,

CM75E3U-24H

osa: 592

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

CM75DU-12F

osa: 592

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 290W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

IRG7T50FF12E

osa: 611

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 340W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

FF150R12KT3GHOSA1

osa: 344

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 225A, Teho - maks: 780W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A,

FS100R12PT4BOSA1

osa: 428

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 135A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

FF300R12KT3EHOSA1

osa: 366

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 480A, Teho - maks: 1450W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

F4200R06KL4BOSA1

osa: 510

Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 225A, Teho - maks: 695W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 200A,

FF1200R17IP5BPSA1

osa: 598

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1200A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A,

FS400R07A1E3BOSA1

osa: 532

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500A, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

FZ400R12KE3B1HOSA1

osa: 402

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 650A, Teho - maks: 2250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A,

FZ1600R17KE3B2NOSA1

osa: 378

IRG5U100HF12B

osa: 635

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 180A, Teho - maks: 780W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A,

F3L400R12PT4B26BOSA1

osa: 554

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 2150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A,

FS30R06W1E3B11BOMA1

osa: 361

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Teho - maks: 150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A,

F4150R12KS4BOSA1

osa: 3136

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 180A, Teho - maks: 960W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 150A,

FF450R12KE4PHOSA1

osa: 463

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A,

FZ400R17KE3S4HOSA1

osa: 394

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 620A, Teho - maks: 2250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 400A,

FS50R12W2T4BOMA1

osa: 409

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 83A, Teho - maks: 335W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

F3L300R12MT4B23BOSA1

osa: 457

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 1550W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

FF450R12KE4HOSA1

osa: 403

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 520A, Teho - maks: 2400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A,

FF150R12ME3GBOSA1

osa: 354

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 695W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A,

FZ900R12KE4HOSA1

osa: 443

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 4300W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A,

FS10R06VE3B2BOMA1

osa: 3126

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Teho - maks: 50W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A,

FPF2G120BF07AS

osa: 758

IGBT-tyyppi: Field Stop, Kokoonpano: 3 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 156W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A,

FMG2G50US120

osa: 416

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 320W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A,

VS-GT100DA120UF

osa: 1028

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 187A, Teho - maks: 890W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 100A,

VS-20MT050XC

osa: 722

MWI60-06G6K

osa: 1612

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Teho - maks: 180W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A,

MIAA10WF600TMH

osa: 2488

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 18A, Teho - maks: 70W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 10A,

MITA30WB600TMH

osa: 1914

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A,

MWI150-06A8T

osa: 527

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 170A, Teho - maks: 515W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 150A,

VIO75-06P1

osa: 430

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 69A, Teho - maks: 208W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A,

MWI450-12E9

osa: 563

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 640A, Teho - maks: 2200W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 450A,

IXGN100N120

osa: 560

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A,