Transistorit - IGBT-moduulit

CM200DU-12NFH

osa: 631

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 590W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A,

CM75TF-12H

osa: 333

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 310W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A,

CM100DY-34A

osa: 510

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 960W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

CM100DU-12H

osa: 570

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A,

CM450DX-24S

osa: 362

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 3400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A,

CM500HA-34A

osa: 280

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500A, Teho - maks: 5000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 500A,

DF300R12KE3HOSA1

osa: 399

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 480A, Teho - maks: 1470W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

FF200R17KE3S4HOSA1

osa: 431

F3L75R12W1H3B11BPSA1

osa: 407

Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Teho - maks: 275W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A,

IRG7T300CL12B

osa: 637

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 570A, Teho - maks: 1600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

FS10R12VT3BOMA1

osa: 326

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Teho - maks: 64W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A,

IRG5U150HF06A

osa: 595

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 660W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 150A,

FF450R12KT4PHOSA1

osa: 402

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A,

IRG5K150HF12B

osa: 5332

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 1060W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 150A,

FF600R12ME4CPBPSA1

osa: 467

FP20R06YE3B4BOMA1

osa: 5319

FZ1200R33KL2CB5NOSA1

osa: 3066

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2300A, Teho - maks: 14500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 1200A,

FS150R12KT4B9BOSA1

osa: 490

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 750W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

FS150R17N3E4BOSA1

osa: 477

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 835W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A,

FZ1600R17HP4B2BOSA2

osa: 675

IRGTI090U06

osa: 395

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Teho - maks: 298W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 90A,

DF200R12PT4B6BOSA1

osa: 504

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 1100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

VS-GA100NA60UP

osa: 3121

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

VS-GB200TS60NPBF

osa: 646

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 209A, Teho - maks: 781W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.84V @ 15V, 200A,

VS-CPV362M4FPBF

osa: 1835

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8.8A, Teho - maks: 23W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 4.8A,

CPV364M4F

osa: 463

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 27A, Teho - maks: 63W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 27A,

MUBW25-06A6

osa: 388

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 27.5A, Teho - maks: 77W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A,

MWI225-17E9

osa: 173

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 335A, Teho - maks: 1400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 225A,

MWI200-06A8T

osa: 453

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 225A, Teho - maks: 675W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

MII300-12E4

osa: 534

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 280A, Teho - maks: 1100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 200A,

MWI100-12E8

osa: 303

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 165A, Teho - maks: 640W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

VID75-06P1

osa: 482

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 69A, Teho - maks: 208W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A,

IXSN50N60BD2

osa: 521

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A,

FMG2G75US120

osa: 327

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 445W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A,

FMG1G50US60L

osa: 445

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

HGT1N40N60A4D

osa: 449

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 110A, Teho - maks: 298W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,