Transistorit - IGBT-moduulit

CM50TL-24NF

osa: 555

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 390W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A,

CM150TF-12H

osa: 532

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 150A,

CM300DY-12NF

osa: 493

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 780W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

CM200DU-24H

osa: 526

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 1130W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

CM100DY-28H

osa: 533

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 780W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 100A,

CM150EXS-24S

osa: 817

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 1150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A,

CM1000HA-24H

osa: 540

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1000A, Teho - maks: 5800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 1000A,

MG12150W-XN2MM

osa: 393

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 625W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 150A (Typ),

FF300R12ME4PB11BPSA1

osa: 411

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

IRG5K200HF06A

osa: 578

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 340A, Teho - maks: 800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

FP75R12KT4PBPSA1

osa: 435

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FP30R06W1E3B11BOMA1

osa: 377

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 37A, Teho - maks: 115W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A,

FF450R12ME4PBOSA1

osa: 425

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A,

FF150R17ME3GBOSA1

osa: 413

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 240A, Teho - maks: 1050W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A,

FD300R06KE3HOSA1

osa: 417

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 940W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

FF600R12ME4CPB11BPSA1

osa: 521

DDB6U100N16RRBOSA1

osa: 388

Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 50A,

FS25R12W1T4B11BOMA1

osa: 357

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Teho - maks: 205W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A,

FS50R06W1E3B11BOMA1

osa: 396

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 205W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

FS3L25R12W2H3B11BPSA1

osa: 421

Kokoonpano: Three Level Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 175W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A,

IRG7T15FF12Z

osa: 620

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Teho - maks: 210W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A,

FS400R12A2T4IBPSA1

osa: 5395

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 300A,

IRG5U200HF12B

osa: 632

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 285A, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 200A,

MWI100-06A8T

osa: 745

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Teho - maks: 410W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

IXXN100N60B3H1

osa: 2591

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 170A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A,

MUBW50-12E8

osa: 3072

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Teho - maks: 350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

VDI125-12P1

osa: 308

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 138A, Teho - maks: 568W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 125A,

VID100-06P1

osa: 3084

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 93A, Teho - maks: 294W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

IXXN200N60B3H1

osa: 2452

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 780W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A,

MIXA10WB1200TML

osa: 2072

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Teho - maks: 63W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 9A,

IXGN100N170

osa: 1645

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Teho - maks: 735W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A,

IXGN120N60A3D1

osa: 2447

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 595W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A,

MITB15WB1200TMH

osa: 1786

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 29A, Teho - maks: 100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A,

VS-EMF050J60U

osa: 605

Kokoonpano: Three Level Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 88A, Teho - maks: 338W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

FMG2G200US60

osa: 468

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 695W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A,

FMG2G300LS60E

osa: 428

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 892W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,