Diodit - sillan tasasuuntaajat | Erilliset puolijohdetuotteet | 33

VS-26MB10A

osa: 10348

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-KBPC802PBF

osa: 28635

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-112MT120KPBF

osa: 851

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU8D-M3/45

osa: 72571

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-26MT80

osa: 4614

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-113MT160KPBF

osa: 757

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-26MB20A

osa: 11512

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC1504W-E4/51

osa: 17635

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-36MB80A

osa: 9868

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU4K-M3/51

osa: 91514

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70MT160PAPBF

osa: 2088

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 75A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU8M-M3/51

osa: 85652

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC1208W-E4/51

osa: 23865

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-36MB100A

osa: 9037

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU8G-M3/45

osa: 72587

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

DF1502S-E3/45

osa: 118212

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

DF1510S-E3/77

osa: 169699

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC1208-E4/51

osa: 23892

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU4G-M3/45

osa: 91425

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

G3SBA80-M3/51

osa: 126255

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

EDF1CS-E3/77

osa: 186338

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 150V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU4A-M3/51

osa: 91512

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111MT80KPBF

osa: 841

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-60MT80KPBF

osa: 1258

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC2502-E4/51

osa: 17601

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-26MT100

osa: 4176

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6D-M3/45

osa: 72524

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70MT160PBPBF

osa: 1890

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 75A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

MB2S45

osa: 181176

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC1210W-E4/51

osa: 23918

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-26MB05A

osa: 11832

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 50V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-93MT160KPBF

osa: 866

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

DF1504S-E3/45

osa: 142368

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-KBPC602

osa: 24813

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 3A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU8B-M3/45

osa: 72575

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6C-E3/45

osa: 71200

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 150V,

Toivomuslista