Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - sillan tasasuuntaajat

  • Koti
  •  
  • Diodit - sillan tasasuuntaajat
B4S-E3/80
Vishay Semiconductor Diodes Division

B4S-E3/80

osa: 136530

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 500mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista
B6S-E3/80
Vishay Semiconductor Diodes Division

B6S-E3/80

osa: 112949

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 500mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
VS-130MT120KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-130MT120KPBF

osa: 1007

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 130A,

Toivomuslista
GBU6K-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6K-E3/51

osa: 42409

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
VS-GBPC2508A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GBPC2508A

osa: 12084

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2mA @ 800V,

Toivomuslista
GBPC3504-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC3504-E4/51

osa: 15223

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista
VS-26MT140
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-26MT140

osa: 3700

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1400V,

Toivomuslista
GBPC3506W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC3506W-E4/51

osa: 15901

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
GSIB2040-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2040-E3/45

osa: 58999

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista
GBLA005-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA005-E3/51

osa: 145875

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista
GBLA10-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA10-E3/51

osa: 145840

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
GBLA06-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA06-M3/51

osa: 126728

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
GSIB15A20-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB15A20-E3/45

osa: 70190

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista
GBLA06-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA06-E3/51

osa: 145901

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
GBL02-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL02-M3/45

osa: 117629

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
GSIB2020-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2020-E3/45

osa: 59085

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista
GSIB6A40-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB6A40-E3/45

osa: 80213

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista
GBL04-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL04-M3/51

osa: 117718

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista
GSIB640N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB640N-M3/45

osa: 64886

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista
GSIB2060N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2060N-M3/45

osa: 54448

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
GSIB2080N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2080N-M3/45

osa: 54433

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista
GSIB15A60N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB15A60N-M3/45

osa: 60141

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
GSIB1560N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB1560N-M3/45

osa: 54481

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
GSIB6A60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB6A60-E3/45

osa: 80174

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
VS-130MT160KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-130MT160KPBF

osa: 952

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 130A,

Toivomuslista
GSIB6A80N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB6A80N-M3/45

osa: 72896

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista
GBLA04-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA04-E3/45

osa: 156298

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista
G2SB60-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB60-E3/51

osa: 161664

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 750mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
GBL06-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL06-M3/51

osa: 117674

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
VS-160MT80KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-160MT80KPBF

osa: 985

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 160A,

Toivomuslista
LVE2560-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

LVE2560-M3/P

osa: 60

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
GSIB2040N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2040N-M3/45

osa: 54515

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista
GSIB2520N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2520N-M3/45

osa: 46376

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista
GSIB15A40N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB15A40N-M3/45

osa: 60143

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista
GSIB1520N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB1520N-M3/45

osa: 54486

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista
GBL10-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL10-M3/45

osa: 117692

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista