Diodit - sillan tasasuuntaajat | Erilliset puolijohdetuotteet | 33

BU1010A5S-E3/45

osa: 81689

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25085S-E3/45

osa: 50453

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1008-E3/45

osa: 72277

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1006-E3/51

osa: 87240

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2010-M3/51

osa: 52772

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

B125C800DM-E3/45

osa: 148924

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 900mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 900mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

B80C800G-E4/51

osa: 175189

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 125V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 900mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 900mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 125V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

B380C800G-E4/51

osa: 152986

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 900mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 900mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

B125C800G-E4/51

osa: 165889

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 900mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 900mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

B125C1500G-E4/51

osa: 112732

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 125V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

B250C1000G-E4/51

osa: 152621

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

B40C1000G-E4/51

osa: 189435

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 65V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 65V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

B125C1000G-E4/51

osa: 145222

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

B250C1500G-E4/51

osa: 112662

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25H08-M3/A

osa: 403

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25H06-M3/A

osa: 428

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2506-E3/45

osa: 28087

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

B40C800G-E4/51

osa: 152582

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 65V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 900mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 900mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 65V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1508-E3/51

osa: 73315

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1210-E3/45

osa: 42864

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU10105S-E3/45

osa: 40959

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2506-E3/51

osa: 57086

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2010-E3/45

osa: 30733

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1208-E3/45

osa: 41671

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1008A-M3/45

osa: 40725

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2008-M3/45

osa: 27257

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2006-M3/45

osa: 27256

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2508-E3/45

osa: 47243

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

B80C1000G-E4/51

osa: 152611

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 125V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 125V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2506-M3/45

osa: 25210

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25H08-E3/P

osa: 26749

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1510-M3/45

osa: 33663

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2010-M3/45

osa: 27267

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1206-M3/45

osa: 35124

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1006-M3/45

osa: 37456

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1506-E3/45

osa: 36087

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista