Tyristorit - SCR: t | Erilliset puolijohdetuotteet | 21

12TTS08STRR

osa: 4797

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 1V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 15mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.2V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 8A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 12.5A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRL

osa: 7584

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 1V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 15mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.15V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 6.5A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 10A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRR

osa: 7614

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 1V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 15mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.15V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 6.5A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 10A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08

osa: 7644

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 1V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 15mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.2V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 8A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 12.5A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08S

osa: 4813

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 1V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 15mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.2V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 8A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 12.5A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08S

osa: 7583

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 1V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 15mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.15V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 6.5A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 10A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08

osa: 7620

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 1V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 15mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.15V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 6.5A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 10A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRR

osa: 7665

Jännite - Pois päältä: 1.2kV, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 60mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.4V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 10A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 16A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRL

osa: 7597

Jännite - Pois päältä: 1.2kV, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 60mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.4V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 10A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 16A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRR

osa: 7581

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 60mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.4V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 10A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 16A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI80

osa: 7616

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 120mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.57V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 110A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 172A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRL

osa: 7605

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 60mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.4V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 10A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 16A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI40

osa: 7639

Jännite - Pois päältä: 400V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 120mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.57V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 110A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 172A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12FP

osa: 7603

Jännite - Pois päältä: 1.2kV, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 60mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.4V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 10A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 16A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08FP

osa: 7640

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 60mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.4V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 10A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 16A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12S

osa: 7612

Jännite - Pois päältä: 1.2kV, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 60mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.4V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 10A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 16A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12

osa: 7561

Jännite - Pois päältä: 1.2kV, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 60mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.4V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 10A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 16A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08S

osa: 7567

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 60mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.4V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 10A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 16A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08

osa: 7649

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 60mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.4V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 10A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 16A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08STRL

osa: 7552

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 1V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 15mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.2V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 8A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 12.5A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

2N5204

osa: 6353

Jännite - Pois päältä: 600V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 40mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 2.3V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 22A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 35A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRR

osa: 7636

Jännite - Pois päältä: 1.2kV, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 45mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.25V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 16A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 25A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRL

osa: 7571

Jännite - Pois päältä: 1.2kV, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 45mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.25V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 16A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 25A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRR

osa: 7576

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 45mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.25V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 16A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 25A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12FP

osa: 7581

Jännite - Pois päältä: 1.2kV, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 45mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.25V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 16A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 25A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12S

osa: 7613

Jännite - Pois päältä: 1.2kV, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 45mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.25V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 16A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 25A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRL

osa: 7660

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 45mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.25V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 16A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 25A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12

osa: 7607

Jännite - Pois päältä: 1.2kV, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 45mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.25V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 16A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 25A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08FP

osa: 7638

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 45mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.25V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 16A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 25A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08S

osa: 7653

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 45mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.25V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 16A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 25A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08

osa: 7614

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 45mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.25V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 16A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 25A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS12

osa: 7665

Jännite - Pois päältä: 1.2kV, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 45mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.3V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 20A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 30A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS08

osa: 4828

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 45mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.3V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 20A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 30A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08A

osa: 4854

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2.5V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 150mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.85V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 35A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 55A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS12A

osa: 4839

Jännite - Pois päältä: 1.2kV, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2.5V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 150mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.85V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 35A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 55A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08

osa: 7657

Jännite - Pois päältä: 800V, Jännite - porttiliipaisin (Vgt) (maks.): 2.5V, Nykyinen - porttiliipaisin (Igt) (enintään): 150mA, Jännite - Päällä (Vtm) (Max): 1.85V, Nykyinen - päällä tilassa (se (AV)) (enintään): 35A, Nykyinen - tilassa (se (RMS)) (enintään): 55A,

Toivomuslista