Diodit - sillan tasasuuntaajat | Erilliset puolijohdetuotteet | 33

113MT120KB

osa: 8641

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20mA @ 1200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

112MT120KB

osa: 2887

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20mA @ 1200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

110MT100KB

osa: 8678

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 150A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10mA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

100MT160PB

osa: 8628

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.51V @ 100A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5mA @ 100V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

100MT160PA

osa: 2942

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.51V @ 100A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5mA @ 100V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

113MT160KB

osa: 8582

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20mA @ 1600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

113MT140KB

osa: 8614

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20mA @ 1400V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

112MT80KB

osa: 8580

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20mA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

112MT160KB

osa: 8565

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20mA @ 1600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

111MT80KB

osa: 8550

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20mA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

111MT120KB

osa: 8537

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20mA @ 1200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

111MT160KB

osa: 8566

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20mA @ 1600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

111MT100KB

osa: 8543

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20mA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

104MT160KB

osa: 8568

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40mA @ 1600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

104MT100KB

osa: 8596

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40mA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

104MT120KB

osa: 8624

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40mA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

160MT160KB

osa: 8623

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 160A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10mA @ 1600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

160MT140KB

osa: 2874

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 160A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10mA @ 1400V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

160MT120KB

osa: 8577

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 160A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10mA @ 1200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

130MT80KB

osa: 2929

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 130A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10mA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

160MT100KB

osa: 8566

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 160A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10mA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

130MT160KB

osa: 8620

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 130A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10mA @ 1600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

130MT140KB

osa: 8566

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 130A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10mA @ 1400V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

130MT120KB

osa: 8590

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 130A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10mA @ 1200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

130MT100KB

osa: 8554

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 130A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10mA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

110MT80KB

osa: 8617

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 150A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10mA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

110MT140KB

osa: 8532

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 150A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10mA @ 1400V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

110MT160KB

osa: 8562

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 150A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10mA @ 1600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

110MT120KB

osa: 8615

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 150A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10mA @ 1200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

2W10G-E4/51

osa: 112755

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

2W005G-E4/51

osa: 112730

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

2W01G-E4/51

osa: 112665

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

2W04G-E4/51

osa: 112710

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

2W02G-E4/51

osa: 112668

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP01M-M4/51

osa: 8851

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP01M/1

osa: 8842

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista