Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - sillan tasasuuntaajat

  • Koti
  •  
  • Diodit - sillan tasasuuntaajat
VS-93MT120KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-93MT120KPBF

osa: 822

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A,

Toivomuslista
GBPC3502-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC3502-E4/51

osa: 15221

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
VS-111MT160KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111MT160KPBF

osa: 860

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A,

Toivomuslista
GBU6M-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6M-M3/45

osa: 72569

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
GBPC2510-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC2510-E4/51

osa: 17574

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
GBU4B-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU4B-M3/51

osa: 91438

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista
VS-KBPC801PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-KBPC801PBF

osa: 27778

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivomuslista
VS-91MT120KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-91MT120KPBF

osa: 911

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A,

Toivomuslista
DF06SA-E3/77
Vishay Semiconductor Diodes Division

DF06SA-E3/77

osa: 120462

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
VS-53MT160KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-53MT160KPBF

osa: 851

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 55A,

Toivomuslista
VS-90MT80KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-90MT80KPBF

osa: 890

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A,

Toivomuslista
VS-1KAB40E
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1KAB40E

osa: 38214

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista
VS-40MT160KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40MT160KPBF

osa: 1349

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.51V @ 100A,

Toivomuslista
GBPC1206W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC1206W-E4/51

osa: 17570

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
VS-GBPC2510A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GBPC2510A

osa: 11796

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2mA @ 1000V,

Toivomuslista
VS-GBPC3502W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GBPC3502W

osa: 28282

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2mA @ 200V,

Toivomuslista
VS-300MT160C
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-300MT160C

osa: 152

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 258A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 300A,

Toivomuslista
G3SBA20-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

G3SBA20-M3/51

osa: 126195

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
PB4006-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

PB4006-E3/45

osa: 23486

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
VS-110MT80KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110MT80KPBF

osa: 1075

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A,

Toivomuslista
GBPC6005-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC6005-E4/51

osa: 35457

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista
GBU6M-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6M-M3/51

osa: 87561

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
VS-300MT180C
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-300MT180C

osa: 217

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.8kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 258A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 300A,

Toivomuslista
DFL15005S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

DFL15005S-E3/45

osa: 105085

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 400µA @ 30V,

Toivomuslista
GBU8D-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU8D-M3/51

osa: 87617

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
VS-52MT140KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-52MT140KPBF

osa: 868

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 55A,

Toivomuslista
EDF1DS-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

EDF1DS-E3/45

osa: 135648

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
DF08SA-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

DF08SA-E3/45

osa: 126247

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
GBPC1501-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC1501-E4/51

osa: 17621

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista
GBPC2504W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC2504W-E4/51

osa: 17657

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista
VS-60MT160KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-60MT160KPBF

osa: 1235

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A,

Toivomuslista
GBPC1504-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC1504-E4/51

osa: 17656

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista
GBU4J-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU4J-M3/51

osa: 91445

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
GBPC3501-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC3501-E4/51

osa: 15220

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista
VS-KBPC6005PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-KBPC6005PBF

osa: 32841

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 50V,

Toivomuslista
VS-KBPC8005PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-KBPC8005PBF

osa: 29977

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 50V,

Toivomuslista