Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - sillan tasasuuntaajat

  • Koti
  •  
  • Diodit - sillan tasasuuntaajat
BU2510-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2510-E3/45

osa: 28109

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU1210-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1210-M3/45

osa: 35116

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU1506-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1506-M3/45

osa: 33620

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
BU1208-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1208-M3/45

osa: 35101

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
BU1006A-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1006A-M3/45

osa: 40694

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
BU1010A-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1010A-M3/45

osa: 40744

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU1508-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1508-M3/45

osa: 33686

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
BU1008-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1008-M3/45

osa: 37416

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
BU20065S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU20065S-E3/45

osa: 33186

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
BU1510-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1510-E3/45

osa: 60697

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU1508-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1508-E3/45

osa: 60788

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
BU25H08-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25H08-M3/P

osa: 26742

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
BU1010-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1010-M3/45

osa: 37423

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU2008-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2008-E3/45

osa: 51686

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
BU2510-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2510-M3/45

osa: 25173

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU25H06-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25H06-M3/P

osa: 26788

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
BU25H08-E3/A
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25H08-E3/A

osa: 26771

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
BU25H06-E3/A
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25H06-E3/A

osa: 26760

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
BU1010A-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1010A-E3/51

osa: 48589

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU1506-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1506-E3/51

osa: 73347

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
BU2008-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2008-E3/51

osa: 62318

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
BU2508-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2508-M3/45

osa: 25256

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
BU25H06-E3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25H06-E3/P

osa: 26766

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
BU2006-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2006-E3/45

osa: 30712

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
B40C1500G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

B40C1500G-E4/51

osa: 111037

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 65V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 65V,

Toivomuslista
B380C1500G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

B380C1500G-E4/51

osa: 112735

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
B80C1500G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

B80C1500G-E4/51

osa: 112684

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 125V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 125V,

Toivomuslista
B250C800G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

B250C800G-E4/51

osa: 152615

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 900mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 900mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista
B380C1000G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

B380C1000G-E4/51

osa: 192791

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
B250C800DM-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

B250C800DM-E3/45

osa: 148144

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 900mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 900mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista
B380C800DM-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

B380C800DM-E3/45

osa: 142207

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 900mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 900mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
B2M-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

B2M-E3/45

osa: 182420

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 500mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
B80C800DM-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

B80C800DM-E3/45

osa: 166495

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 125V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 900mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 900mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 125V,

Toivomuslista
B40C800DM-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

B40C800DM-E3/45

osa: 172468

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 65V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 900mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 900mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 65V,

Toivomuslista
BU2010-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2010-E3/51

osa: 30682

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
B2S-E3/80
Vishay Semiconductor Diodes Division

B2S-E3/80

osa: 193984

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 500mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista