Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - sillan tasasuuntaajat

  • Koti
  •  
  • Diodit - sillan tasasuuntaajat
G2SB80-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB80-E3/51

osa: 161616

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 750mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50µA @ 600V,

Toivomuslista
GBLA01-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA01-E3/45

osa: 156252

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista
GBLA02-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA02-E3/45

osa: 156262

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Avalanche, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
GBLA10-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA10-M3/51

osa: 126691

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
G2SB20-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB20-E3/51

osa: 112683

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 750mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
G2SB20-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB20-E3/45

osa: 120678

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 750mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
VS-70MT120KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70MT120KPBF

osa: 1124

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 70A,

Toivomuslista
GSIB2020N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2020N-M3/45

osa: 54493

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista
GSIB660N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB660N-M3/45

osa: 64889

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
GSIB1540N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB1540N-M3/45

osa: 54527

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista
VS-2KBB60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2KBB60

osa: 95325

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.9A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.9A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
GBLA06-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA06-E3/45

osa: 156244

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
VS-90MT120KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-90MT120KPBF

osa: 1197

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A,

Toivomuslista
RMB2S-E3/80
Vishay Semiconductor Diodes Division

RMB2S-E3/80

osa: 156982

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
LVE1560-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

LVE1560-M3/P

osa: 64

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
GBLA08-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA08-E3/45

osa: 156231

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
GBL08-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL08-M3/51

osa: 117707

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista
GBLA06-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA06-M3/45

osa: 126698

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
GSIB6A80-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB6A80-E3/45

osa: 80200

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista
GBL10-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL10-M3/51

osa: 117664

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
GSIB6A20-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB6A20-E3/45

osa: 86428

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista
GSIB620N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB620N-M3/45

osa: 64923

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista
GSIB6A40N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB6A40N-M3/45

osa: 72874

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista
G2SB60-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB60-M3/45

osa: 142421

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 750mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
VS-2KBB10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2KBB10

osa: 39441

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.9A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.9A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivomuslista
G2SB60-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB60-M3/51

osa: 132931

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 750mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
GBL04-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL04-E3/45

osa: 138924

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista
VS-2KBP10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2KBP10

osa: 57249

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A,

Toivomuslista
GBL01-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL01-M3/45

osa: 117637

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista
MB2M-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MB2M-E3/45

osa: 162046

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
G2SB80-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB80-E3/45

osa: 173208

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 750mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50µA @ 600V,

Toivomuslista
G2SB60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB60-E3/45

osa: 173154

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 750mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
GBLA08-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA08-M3/45

osa: 126715

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
GSIB2560N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2560N-M3/45

osa: 46473

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
GSIB640-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB640-E3/45

osa: 76616

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista
GBLA01-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA01-E3/51

osa: 145863

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista