Diodit - sillan tasasuuntaajat

Koti
Diodit - sillan tasasuuntaajat

Vishay Semiconductor Diodes Division

MB2S/1

osa: 181186

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 500mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU4M-E3/45

osa: 97122

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC2508-E4/51

osa: 17618

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista

GBPC1501W-E4/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC1501W-E4/51

osa: 23951

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista

VS-160MT100KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-160MT100KPBF

osa: 1001

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 130A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70MT140KPBF

osa: 1188

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 70A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

EDF1CS-E3/45

osa: 100229

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 150V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

DF1501S-E3/45

osa: 182210

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

DF04SA-E3/45

osa: 160408

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista

VS-40MT160PBPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40MT160PBPBF

osa: 3419

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 45A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.51V @ 100A,

Toivomuslista

VS-40MT160PAPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40MT160PAPBF

osa: 2363

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.51V @ 100A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

G5SBA60-M3/45

osa: 82159

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

GBPC25005W-E4/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC25005W-E4/51

osa: 23876

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-53MT80KPBF

osa: 872

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 55A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GBPC2506A

osa: 12198

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2mA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-26MT120

osa: 3940

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1200V,

Toivomuslista

VS-110MT160KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110MT160KPBF

osa: 1044

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-92MT120KPBF

osa: 876

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-200MT40KPBF

osa: 987

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 200A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

LVB2560-M3/45

osa: 29627

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

W02G-E4/51

osa: 112741

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU8B-E3/45

osa: 76177

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.9A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC610-E4/51

osa: 35405

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

GBPC3508W-E4/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC3508W-E4/51

osa: 15839

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista

GBPC35005W-E4/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC35005W-E4/51

osa: 21594

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista

GBPC2501W-E4/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC2501W-E4/51

osa: 23919

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6A-M3/45

osa: 72537

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

G5SBA20-M3/45

osa: 82132

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-36MT140

osa: 3535

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1400V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-26MB120A

osa: 8892

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

DF06SA-E3/45

osa: 120082

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6J-M3/51

osa: 87545

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

VS-113MT120KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-113MT120KPBF

osa: 820

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC35005-E4/1

osa: 20727

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista

GBPC12005-E4/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC12005-E4/51

osa: 17619

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

KBU8M-E4/51

osa: 19362

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista

1161

«
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
»