Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - sillan tasasuuntaajat

  • Koti
  •  
  • Diodit - sillan tasasuuntaajat
90MT80KB
Vishay Semiconductor Diodes Division

90MT80KB

osa: 8568

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A,

Toivomuslista
90MT160KB
Vishay Semiconductor Diodes Division

90MT160KB

osa: 8601

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A,

Toivomuslista
90MT140KB
Vishay Semiconductor Diodes Division

90MT140KB

osa: 8577

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A,

Toivomuslista
90MT120KB
Vishay Semiconductor Diodes Division

90MT120KB

osa: 8582

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A,

Toivomuslista
90MT100KB
Vishay Semiconductor Diodes Division

90MT100KB

osa: 8532

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A,

Toivomuslista
B6M-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

B6M-E3/45

osa: 126775

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 500mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
B4M-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

B4M-E3/45

osa: 183304

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 500mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista
BU15105S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU15105S-M3/45

osa: 53947

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU12065S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU12065S-E3/45

osa: 72279

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
BU1010A5S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1010A5S-M3/45

osa: 65268

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU1006A-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1006A-E3/45

osa: 48552

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
BU1206-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1206-E3/51

osa: 84626

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
BU2006-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2006-M3/51

osa: 52782

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
BU12105S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU12105S-M3/45

osa: 56372

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU1006-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1006-E3/45

osa: 42869

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
BU1010A-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1010A-M3/51

osa: 78719

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU1008A5S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1008A5S-M3/45

osa: 65323

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
BU1006A5S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1006A5S-E3/45

osa: 81646

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
BU1208-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1208-E3/51

osa: 41682

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
BU1008A-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1008A-M3/51

osa: 78795

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
BU1510-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1510-M3/51

osa: 65002

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU1010-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1010-M3/51

osa: 72304

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU1008-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1008-E3/51

osa: 87220

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
BU1010A-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1010A-E3/45

osa: 81872

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU12085S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU12085S-M3/45

osa: 56377

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
BU2510-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2510-E3/51

osa: 57021

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU1508-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1508-M3/51

osa: 65090

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
BU2506-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2506-M3/51

osa: 48845

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
BU20105S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU20105S-M3/45

osa: 43668

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU1210-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1210-E3/51

osa: 87291

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU20085S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU20085S-M3/45

osa: 43730

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
BU25065S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25065S-M3/45

osa: 40478

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
BU1006-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1006-M3/51

osa: 72304

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
BU15105S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU15105S-E3/45

osa: 57837

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU10105S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU10105S-M3/45

osa: 59855

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
BU12085S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU12085S-E3/45

osa: 72332

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista