Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IXSX40N60CD1
IXYS

IXSX40N60CD1

osa: 6631

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 280W,

Toivelistaan
IXYH40N65C3H1
IXYS

IXYH40N65C3H1

osa: 11514

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGA7N60C
IXYS

IXGA7N60C

osa: 5680

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Teho - maks: 54W,

Toivelistaan
IXGR40N60C2D1
IXYS

IXGR40N60C2D1

osa: 6683

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 56A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 170W,

Toivelistaan
IXGH50N60A
IXYS

IXGH50N60A

osa: 6586

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXSH20N60B2D1
IXYS

IXSH20N60B2D1

osa: 5675

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A, Teho - maks: 190W,

Toivelistaan
IXST40N60B
IXYS

IXST40N60B

osa: 5722

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 280W,

Toivelistaan
IXGP70N33TBM-A
IXYS

IXGP70N33TBM-A

osa: 24731

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 330V,

Toivelistaan
IXGP28N120B
IXYS

IXGP28N120B

osa: 16200

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 28A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXRP15N120
IXYS

IXRP15N120

osa: 6686

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 10A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGT30N60C2D1
IXYS

IXGT30N60C2D1

osa: 6688

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A, Teho - maks: 190W,

Toivelistaan
IXGT12N120A2D1
IXYS

IXGT12N120A2D1

osa: 17808

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V,

Toivelistaan
IXGP16N60B2
IXYS

IXGP16N60B2

osa: 6616

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGH10N100A
IXYS

IXGH10N100A

osa: 16116

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRG4BC10UDPBF
Infineon Technologies

IRG4BC10UDPBF

osa: 33304

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8.5A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 34A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
IRG4BC20SD-SPBF
Infineon Technologies

IRG4BC20SD-SPBF

osa: 6618

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 19A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 38A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRGBC30UD2
Infineon Technologies

IRGBC30UD2

osa: 6522

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRG4PH40UDPBF
Infineon Technologies

IRG4PH40UDPBF

osa: 12502

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 41A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 82A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 21A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IRGP20B120UD-EP
Infineon Technologies

IRGP20B120UD-EP

osa: 7421

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.85V @ 15V, 40A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IRG4BC40W-STRRP
Infineon Technologies

IRG4BC40W-STRRP

osa: 31860

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IRG4PC30UPBF
Infineon Technologies

IRG4PC30UPBF

osa: 28319

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 92A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRG4BC30K-S
Infineon Technologies

IRG4BC30K-S

osa: 6587

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 58A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRG4BC30FDSTRRP
Infineon Technologies

IRG4BC30FDSTRRP

osa: 32998

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 31A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRG4IBC20UDPBF
Infineon Technologies

IRG4IBC20UDPBF

osa: 24919

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 11.4A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 52A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A, Teho - maks: 34W,

Toivelistaan
IRG4BC30S-S
Infineon Technologies

IRG4BC30S-S

osa: 6566

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 34A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 68A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRG4RC10UTR
Infineon Technologies

IRG4RC10UTR

osa: 5716

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8.5A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 34A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
SGP30N60XKSA1
Infineon Technologies

SGP30N60XKSA1

osa: 6600

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 41A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 112A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IRG4PC50UD-EPBF
Infineon Technologies

IRG4PC50UD-EPBF

osa: 8997

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 220A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IRGPH50F
Infineon Technologies

IRGPH50F

osa: 6574

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 25A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
SGF23N60UFDM1TU
ON Semiconductor

SGF23N60UFDM1TU

osa: 6626

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 92A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A, Teho - maks: 75W,

Toivelistaan
FGPF70N30TDTU
ON Semiconductor

FGPF70N30TDTU

osa: 6629

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 49.2W,

Toivelistaan
FGA180N33ATTU
ON Semiconductor

FGA180N33ATTU

osa: 17424

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 330V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 180A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 450A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 390W,

Toivelistaan
FGA6065ADF
ON Semiconductor

FGA6065ADF

osa: 18174

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Teho - maks: 306W,

Toivelistaan
SGH23N60UFDTU
ON Semiconductor

SGH23N60UFDTU

osa: 6635

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 92A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
FGA40T65SHDF
ON Semiconductor

FGA40T65SHDF

osa: 23780

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A, Teho - maks: 268W,

Toivelistaan
TIG064E8-TL-H
ON Semiconductor

TIG064E8-TL-H

osa: 93506

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 2.5V, 100A,

Toivelistaan