Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IXGT30N60B2D1
IXYS

IXGT30N60B2D1

osa: 5744

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 24A, Teho - maks: 190W,

Toivelistaan
IXGT60N60B2
IXYS

IXGT60N60B2

osa: 6651

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Teho - maks: 500W,

Toivelistaan
IXGP16N60B2D1
IXYS

IXGP16N60B2D1

osa: 5741

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXST24N60BD1
IXYS

IXST24N60BD1

osa: 6717

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 48A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXEH25N120D1
IXYS

IXEH25N120D1

osa: 6687

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 36A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXSH35N100A
IXYS

IXSH35N100A

osa: 6581

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 140A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 35A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGH20N120IH
IXYS

IXGH20N120IH

osa: 21773

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V,

Toivelistaan
IXSK35N120AU1
IXYS

IXSK35N120AU1

osa: 6633

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 140A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGH20N120
IXYS

IXGH20N120

osa: 10883

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGQ170N30PB
IXYS

IXGQ170N30PB

osa: 25805

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 170A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 85A, Teho - maks: 330W,

Toivelistaan
IXGH40N60C2D1
IXYS

IXGH40N60C2D1

osa: 6637

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGA20N100
IXYS

IXGA20N100

osa: 12312

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGP16N60C2D1
IXYS

IXGP16N60C2D1

osa: 6641

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGA12N120A2
IXYS

IXGA12N120A2

osa: 32112

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 48A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Teho - maks: 75W,

Toivelistaan
IRG4BC30W-STRRP
Infineon Technologies

IRG4BC30W-STRRP

osa: 42701

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 92A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRG4IBC30KD
Infineon Technologies

IRG4IBC30KD

osa: 6550

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 34A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A, Teho - maks: 45W,

Toivelistaan
IRG4PC50K
Infineon Technologies

IRG4PC50K

osa: 6579

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 52A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 104A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IRG4BC30F
Infineon Technologies

IRG4BC30F

osa: 6563

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 31A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRGS4055PBF
Infineon Technologies

IRGS4055PBF

osa: 6592

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 110A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A, Teho - maks: 255W,

Toivelistaan
IRG4BC20W
Infineon Technologies

IRG4BC20W

osa: 6581

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 52A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRG4RC10UDPBF
Infineon Technologies

IRG4RC10UDPBF

osa: 83094

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8.5A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 34A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
IRG4RC10KTRL
Infineon Technologies

IRG4RC10KTRL

osa: 6596

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 9A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
IRGPF50F
Infineon Technologies

IRGPF50F

osa: 6560

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 51A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IRG4PF50WD-201P
Infineon Technologies

IRG4PF50WD-201P

osa: 6720

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 51A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 204A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IRG4PSC71KPBF
Infineon Technologies

IRG4PSC71KPBF

osa: 8341

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Teho - maks: 350W,

Toivelistaan
IRG4BC20FD-STRR
Infineon Technologies

IRG4BC20FD-STRR

osa: 6576

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 64A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
HGTD3N60C3S9A
ON Semiconductor

HGTD3N60C3S9A

osa: 6573

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 24A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A, Teho - maks: 33W,

Toivelistaan
FGH20N6S2
ON Semiconductor

FGH20N6S2

osa: 6613

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
SGH80N60UFDTU
ON Semiconductor

SGH80N60UFDTU

osa: 5661

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 220A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Teho - maks: 195W,

Toivelistaan
FGD3440G2-F085
ON Semiconductor

FGD3440G2-F085

osa: 21532

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 26.9A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.2V @ 4V, 6A, Teho - maks: 166W,

Toivelistaan
FGP20N6S2D
ON Semiconductor

FGP20N6S2D

osa: 6642

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
FGA15N120FTDTU
ON Semiconductor

FGA15N120FTDTU

osa: 5620

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Teho - maks: 220W,

Toivelistaan
HGTP10N120BN
ON Semiconductor

HGTP10N120BN

osa: 41051

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Teho - maks: 298W,

Toivelistaan
STGB20NB37LZ
STMicroelectronics

STGB20NB37LZ

osa: 6703

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 425V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
STGD8NC60KDT4
STMicroelectronics

STGD8NC60KDT4

osa: 131819

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A, Teho - maks: 62W,

Toivelistaan
STGD3NB60HDT4
STMicroelectronics

STGD3NB60HDT4

osa: 6583

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 24A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A, Teho - maks: 50W,

Toivelistaan