Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IRG4BC15UD-L
Infineon Technologies

IRG4BC15UD-L

osa: 6596

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 42A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 7.8A, Teho - maks: 49W,

Toivelistaan
IRG4PSH71KPBF
Infineon Technologies

IRG4PSH71KPBF

osa: 6588

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 78A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 156A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 42A, Teho - maks: 350W,

Toivelistaan
IRG4PH50KPBF
Infineon Technologies

IRG4PH50KPBF

osa: 16228

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 24A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IKD06N60RAATMA2
Infineon Technologies

IKD06N60RAATMA2

osa: 99829

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IHW30N160R2FKSA1
Infineon Technologies

IHW30N160R2FKSA1

osa: 6499

IGBT-tyyppi: NPT, Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Teho - maks: 312W,

Toivelistaan
IRG4RC20F
Infineon Technologies

IRG4RC20F

osa: 5625

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 22A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 44A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Teho - maks: 66W,

Toivelistaan
IRG4BC15UD
Infineon Technologies

IRG4BC15UD

osa: 6575

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 42A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 7.8A, Teho - maks: 49W,

Toivelistaan
IRGP4055DPBF
Infineon Technologies

IRGP4055DPBF

osa: 6678

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 110A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A, Teho - maks: 255W,

Toivelistaan
IRG4BC15MDPBF
Infineon Technologies

IRG4BC15MDPBF

osa: 6584

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 28A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8.6A, Teho - maks: 49W,

Toivelistaan
IRG4RC10KDTRPBF
Infineon Technologies

IRG4RC10KDTRPBF

osa: 85755

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 9A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
IRGR4607DTRPBF
Infineon Technologies

IRGR4607DTRPBF

osa: 46371

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 11A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 12A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A, Teho - maks: 58W,

Toivelistaan
IGW40N65H5AXKSA1
Infineon Technologies

IGW40N65H5AXKSA1

osa: 15735

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 74A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IKP20N60TAHKSA1
Infineon Technologies

IKP20N60TAHKSA1

osa: 35843

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A, Teho - maks: 166W,

Toivelistaan
IXSP15N120B
IXYS

IXSP15N120B

osa: 6686

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGH24N60A
IXYS

IXGH24N60A

osa: 6598

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 48A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGH20N120B
IXYS

IXGH20N120B

osa: 11561

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A, Teho - maks: 190W,

Toivelistaan
IXGH50N60B
IXYS

IXGH50N60B

osa: 6565

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGP20N120B
IXYS

IXGP20N120B

osa: 13022

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A, Teho - maks: 190W,

Toivelistaan
IXGP4N100
IXYS

IXGP4N100

osa: 24472

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 16A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 4A, Teho - maks: 40W,

Toivelistaan
IXGH40N60B2D1
IXYS

IXGH40N60B2D1

osa: 6627

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
FIO50-12BD
IXYS

FIO50-12BD

osa: 6608

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXST15N120B
IXYS

IXST15N120B

osa: 6680

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGP16N60C2
IXYS

IXGP16N60C2

osa: 6660

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGC16N60B2D1
IXYS

IXGC16N60B2D1

osa: 6696

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 12A, Teho - maks: 63W,

Toivelistaan
STGD10NC60KDT4
STMicroelectronics

STGD10NC60KDT4

osa: 121571

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A, Teho - maks: 62W,

Toivelistaan
STGD6NC60HT4
STMicroelectronics

STGD6NC60HT4

osa: 6640

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 21A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A, Teho - maks: 56W,

Toivelistaan
STGP10NB37LZ
STMicroelectronics

STGP10NB37LZ

osa: 6588

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 440V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
STGB20NB37LZT4
STMicroelectronics

STGB20NB37LZT4

osa: 26697

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 425V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
STGP7NC60H
STMicroelectronics

STGP7NC60H

osa: 37627

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A, Teho - maks: 80W,

Toivelistaan
NGTB10N60R2DT4G
ON Semiconductor

NGTB10N60R2DT4G

osa: 119694

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A, Teho - maks: 72W,

Toivelistaan
FGPF30N30TTU
ON Semiconductor

FGPF30N30TTU

osa: 6650

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 10A, Teho - maks: 44.6W,

Toivelistaan
HGT1S10N120BNS
ON Semiconductor

HGT1S10N120BNS

osa: 22373

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Teho - maks: 298W,

Toivelistaan
FGB30N6S2T
ON Semiconductor

FGB30N6S2T

osa: 6578

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 108A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
FGPF7N60LSDTU
ON Semiconductor

FGPF7N60LSDTU

osa: 6697

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 21A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A, Teho - maks: 45W,

Toivelistaan
FGA90N33ATDTU
ON Semiconductor

FGA90N33ATDTU

osa: 196806

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 330V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 330A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A, Teho - maks: 223W,

Toivelistaan
FGB40N60SM
ON Semiconductor

FGB40N60SM

osa: 32395

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Teho - maks: 349W,

Toivelistaan