Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IXGH17N100U1
IXYS

IXGH17N100U1

osa: 6573

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 34A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 68A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 17A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGH15N120CD1
IXYS

IXGH15N120CD1

osa: 9489

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 15A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGP20N120
IXYS

IXGP20N120

osa: 12669

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGP7N60B
IXYS

IXGP7N60B

osa: 6657

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A, Teho - maks: 54W,

Toivelistaan
IXSH35N120B
IXYS

IXSH35N120B

osa: 6620

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 140A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 35A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGH120N30C3
IXYS

IXGH120N30C3

osa: 12117

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 600A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 120A, Teho - maks: 540W,

Toivelistaan
IXGT30N60C2
IXYS

IXGT30N60C2

osa: 6622

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A, Teho - maks: 190W,

Toivelistaan
IXGT24N60C
IXYS

IXGT24N60C

osa: 12514

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 48A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGH20N140C3H1
IXYS

IXGH20N140C3H1

osa: 9829

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 42A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 108A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXGT50N60B
IXYS

IXGT50N60B

osa: 6673

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGT40N60B2
IXYS

IXGT40N60B2

osa: 6712

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
STGDL6NC60DT4
STMicroelectronics

STGDL6NC60DT4

osa: 6523

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 25A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A, Teho - maks: 50W,

Toivelistaan
STGD10NC60SDT4
STMicroelectronics

STGD10NC60SDT4

osa: 6568

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 18A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 25A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 5A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IKD04N60RAATMA1
Infineon Technologies

IKD04N60RAATMA1

osa: 113985

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 12A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Teho - maks: 75W,

Toivelistaan
IRGC4630B
Infineon Technologies

IRGC4630B

osa: 29727

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A,

Toivelistaan
IRG4BC30KD-STRR
Infineon Technologies

IRG4BC30KD-STRR

osa: 6578

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 58A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
SGB02N120ATMA1
Infineon Technologies

SGB02N120ATMA1

osa: 87941

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6.2A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 9.6A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A, Teho - maks: 62W,

Toivelistaan
IRGPH40F
Infineon Technologies

IRGPH40F

osa: 6601

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 29A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 17A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IRGS10B60KDTRRP
Infineon Technologies

IRGS10B60KDTRRP

osa: 40332

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 22A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 44A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 10A, Teho - maks: 156W,

Toivelistaan
IRG4PC30S
Infineon Technologies

IRG4PC30S

osa: 6533

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 34A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 68A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRG4BC30K-STRRP
Infineon Technologies

IRG4BC30K-STRRP

osa: 6690

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 56A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRG4IBC30SPBF
Infineon Technologies

IRG4IBC30SPBF

osa: 23982

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23.5A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 47A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A, Teho - maks: 45W,

Toivelistaan
IRG4PH40UD-EPBF
Infineon Technologies

IRG4PH40UD-EPBF

osa: 13530

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 41A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 82A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 21A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IRG4BC20WPBF
Infineon Technologies

IRG4BC20WPBF

osa: 76827

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 52A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRG4BC30FD1PBF
Infineon Technologies

IRG4BC30FD1PBF

osa: 19655

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 31A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 124A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IKZ75N65NH5XKSA1
Infineon Technologies

IKZ75N65NH5XKSA1

osa: 9192

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 395W,

Toivelistaan
IRGS10B60KDPBF
Infineon Technologies

IRGS10B60KDPBF

osa: 29324

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 22A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 44A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 10A, Teho - maks: 156W,

Toivelistaan
IRG4BC20UPBF
Infineon Technologies

IRG4BC20UPBF

osa: 35072

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 52A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
NGB8206N
ON Semiconductor

NGB8206N

osa: 6636

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 390V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
FGA180N30DTU
ON Semiconductor

FGA180N30DTU

osa: 6662

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 180A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 450A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 480W,

Toivelistaan
HGT1S7N60C3DS9A
ON Semiconductor

HGT1S7N60C3DS9A

osa: 6594

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 56A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
HGTP12N60C3
ON Semiconductor

HGTP12N60C3

osa: 6644

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A, Teho - maks: 104W,

Toivelistaan
SGS6N60UFTU
ON Semiconductor

SGS6N60UFTU

osa: 6598

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 25A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A, Teho - maks: 22W,

Toivelistaan
SGR20N40LTF
ON Semiconductor

SGR20N40LTF

osa: 6621

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 150A, Teho - maks: 45W,

Toivelistaan
NGTB25N120IHLWG
ON Semiconductor

NGTB25N120IHLWG

osa: 24017

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A, Teho - maks: 192W,

Toivelistaan
SGF23N60UFDTU
ON Semiconductor

SGF23N60UFDTU

osa: 6655

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 92A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A, Teho - maks: 75W,

Toivelistaan