Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IXRH40N120
IXYS

IXRH40N120

osa: 6688

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGH60N60B2
IXYS

IXGH60N60B2

osa: 6675

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Teho - maks: 500W,

Toivelistaan
IXSX35N120BD1
IXYS

IXSX35N120BD1

osa: 6691

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 140A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 35A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGR120N60C2
IXYS

IXGR120N60C2

osa: 6632

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 500A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 100A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGH12N120A2D1
IXYS

IXGH12N120A2D1

osa: 28793

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A,

Toivelistaan
IXGP12N60CD1
IXYS

IXGP12N60CD1

osa: 6661

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 48A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXGR40N60CD1
IXYS

IXGR40N60CD1

osa: 6616

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGK60N60B2D1
IXYS

IXGK60N60B2D1

osa: 6654

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Teho - maks: 500W,

Toivelistaan
IXGR50N60B2D1
IXYS

IXGR50N60B2D1

osa: 6663

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 68A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXEH40N120D1
IXYS

IXEH40N120D1

osa: 6699

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGA15N100C
IXYS

IXGA15N100C

osa: 10491

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGH24N120IH
IXYS

IXGH24N120IH

osa: 19214

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V,

Toivelistaan
IRGPC50F
Infineon Technologies

IRGPC50F

osa: 6598

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 39A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IGW40N65F5AXKSA1
Infineon Technologies

IGW40N65F5AXKSA1

osa: 15800

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 74A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IRG4BC20UD-S
Infineon Technologies

IRG4BC20UD-S

osa: 6551

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 52A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRGPS40B120UPBF
Infineon Technologies

IRGPS40B120UPBF

osa: 7230

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.71V @ 15V, 50A, Teho - maks: 595W,

Toivelistaan
IRGS30B60KPBF
Infineon Technologies

IRGS30B60KPBF

osa: 24138

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 78A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A, Teho - maks: 370W,

Toivelistaan
IRG4IBC20FD
Infineon Technologies

IRG4IBC20FD

osa: 6572

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14.3A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 64A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A, Teho - maks: 34W,

Toivelistaan
IRG4PC40UPBF
Infineon Technologies

IRG4PC40UPBF

osa: 15927

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IRG4BH20K-STRLP
Infineon Technologies

IRG4BH20K-STRLP

osa: 49565

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 11A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 22A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRG4BC30U-S
Infineon Technologies

IRG4BC30U-S

osa: 6574

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 92A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRG4BC10SDPBF
Infineon Technologies

IRG4BC10SDPBF

osa: 6644

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
IRGBC20UD2
Infineon Technologies

IRGBC20UD2

osa: 6591

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 6.5A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRGBC20FD2
Infineon Technologies

IRGBC20FD2

osa: 6564

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A,

Toivelistaan
IRG4BC30F-STRL
Infineon Technologies

IRG4BC30F-STRL

osa: 6619

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 31A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRGS6B60KTRLPBF
Infineon Technologies

IRGS6B60KTRLPBF

osa: 63453

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 26A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A, Teho - maks: 90W,

Toivelistaan
FGPF70N30
ON Semiconductor

FGPF70N30

osa: 6627

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 52W,

Toivelistaan
FGL60N100DTU
ON Semiconductor

FGL60N100DTU

osa: 6636

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Teho - maks: 176W,

Toivelistaan
SGL160N60UFTU
ON Semiconductor

SGL160N60UFTU

osa: 6609

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
HGTD7N60C3S9A
ON Semiconductor

HGTD7N60C3S9A

osa: 83863

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 56A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
FGH40T100SMD-F155
ON Semiconductor

FGH40T100SMD-F155

osa: 6492

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Teho - maks: 333W,

Toivelistaan
SGS5N150UFTU
ON Semiconductor

SGS5N150UFTU

osa: 6606

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A, Teho - maks: 50W,

Toivelistaan
ISL9V5036S3
ON Semiconductor

ISL9V5036S3

osa: 6566

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 390V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 46A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
FGH40N60SMDF-F085
ON Semiconductor

FGH40N60SMDF-F085

osa: 6523

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 349W,

Toivelistaan
FGH20N60SFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH20N60SFDTU-F085

osa: 6509

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Teho - maks: 165W,

Toivelistaan
HGTP5N120BND
ON Semiconductor

HGTP5N120BND

osa: 45627

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 21A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan