Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IKW30N65NL5XKSA1
Infineon Technologies

IKW30N65NL5XKSA1

osa: 18074

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A, Teho - maks: 227W,

Toivelistaan
IRG4BC30U
Infineon Technologies

IRG4BC30U

osa: 6571

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 92A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRG4IBC30FD
Infineon Technologies

IRG4IBC30FD

osa: 6619

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20.3A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Teho - maks: 45W,

Toivelistaan
IRGB10B60KDPBF
Infineon Technologies

IRGB10B60KDPBF

osa: 46468

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 22A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 44A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 10A, Teho - maks: 156W,

Toivelistaan
IRG4PC30SPBF
Infineon Technologies

IRG4PC30SPBF

osa: 27496

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 34A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 68A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IGW50N65H5AXKSA1
Infineon Technologies

IGW50N65H5AXKSA1

osa: 15301

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Teho - maks: 270W,

Toivelistaan
IRGS6B60KDTRLP
Infineon Technologies

IRGS6B60KDTRLP

osa: 49637

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 26A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A, Teho - maks: 90W,

Toivelistaan
IRG4IBC30W
Infineon Technologies

IRG4IBC30W

osa: 6608

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 92A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Teho - maks: 45W,

Toivelistaan
IRG4PSH71KD
Infineon Technologies

IRG4PSH71KD

osa: 6612

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 78A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 156A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 42A, Teho - maks: 350W,

Toivelistaan
IRGI4085-111PBF
Infineon Technologies

IRGI4085-111PBF

osa: 6680

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 330V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 28V, 15A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
IKD06N60RAATMA1
Infineon Technologies

IKD06N60RAATMA1

osa: 99890

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IKP30N65F5XKSA1
Infineon Technologies

IKP30N65F5XKSA1

osa: 18449

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Teho - maks: 188W,

Toivelistaan
IRG4BC10SD-L
Infineon Technologies

IRG4BC10SD-L

osa: 6617

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
IRG4BC30W-STRL
Infineon Technologies

IRG4BC30W-STRL

osa: 6589

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 92A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRG4PC60UPBF
Infineon Technologies

IRG4PC60UPBF

osa: 11019

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 520W,

Toivelistaan
FGPF120N30TU
ON Semiconductor

FGPF120N30TU

osa: 6635

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 25A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
FGPF90N30
ON Semiconductor

FGPF90N30

osa: 6597

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 220A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 30A, Teho - maks: 56.8W,

Toivelistaan
SGL40N150TU
ON Semiconductor

SGL40N150TU

osa: 6631

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 40A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
FGB30N6S2D
ON Semiconductor

FGB30N6S2D

osa: 6628

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 108A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
NGB18N40CLBT4
ON Semiconductor

NGB18N40CLBT4

osa: 5727

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 18A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, Teho - maks: 115W,

Toivelistaan
SGR15N40LTM
ON Semiconductor

SGR15N40LTM

osa: 6637

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 130A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 130A, Teho - maks: 45W,

Toivelistaan
ISL9V3036S3S
ON Semiconductor

ISL9V3036S3S

osa: 6651

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 360V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 21A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
ISL9V2040P3
ON Semiconductor

ISL9V2040P3

osa: 6592

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A, Teho - maks: 130W,

Toivelistaan
NGTB35N60FL2WG
ON Semiconductor

NGTB35N60FL2WG

osa: 33733

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGH35N120B
IXYS

IXGH35N120B

osa: 6664

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 140A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 35A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGH30N60C2D1
IXYS

IXGH30N60C2D1

osa: 5707

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A, Teho - maks: 190W,

Toivelistaan
IXGP2N100
IXYS

IXGP2N100

osa: 26944

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 8A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 2A, Teho - maks: 25W,

Toivelistaan
IXGH42N30C3
IXYS

IXGH42N30C3

osa: 31387

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 250A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 42A, Teho - maks: 223W,

Toivelistaan
IXGH17N100A
IXYS

IXGH17N100A

osa: 12196

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 34A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 68A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 17A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGR35N120D1
IXYS

IXGR35N120D1

osa: 11335

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V,

Toivelistaan
IXGH40N60B2
IXYS

IXGH40N60B2

osa: 6611

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGQ96N30TBD1
IXYS

IXGQ96N30TBD1

osa: 12506

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 320V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 96A,

Toivelistaan
IXSK40N60BD1
IXYS

IXSK40N60BD1

osa: 6715

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 280W,

Toivelistaan
STGBL6NC60DT4
STMicroelectronics

STGBL6NC60DT4

osa: 6510

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A, Teho - maks: 56W,

Toivelistaan
STGP19NC60WD
STMicroelectronics

STGP19NC60WD

osa: 6604

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
STGP12NB60K
STMicroelectronics

STGP12NB60K

osa: 6660

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan