Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

NGB8204NT4G
ON Semiconductor

NGB8204NT4G

osa: 5688

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 18A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, Teho - maks: 115W,

Toivelistaan
FGI3040G2-F085
ON Semiconductor

FGI3040G2-F085

osa: 6451

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 41A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
HGT1S14N36G3VLS
ON Semiconductor

HGT1S14N36G3VLS

osa: 6647

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 390V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
HGT1S20N36G3VL
ON Semiconductor

HGT1S20N36G3VL

osa: 6649

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 395V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 37.7A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 5V, 20A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
SGH80N60UFTU
ON Semiconductor

SGH80N60UFTU

osa: 6614

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 220A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Teho - maks: 195W,

Toivelistaan
HGTP7N60C3D
ON Semiconductor

HGTP7N60C3D

osa: 6675

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 56A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
FGA40T65UQDF
ON Semiconductor

FGA40T65UQDF

osa: 27758

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A, Teho - maks: 231W,

Toivelistaan
SGF40N60UFTU
ON Semiconductor

SGF40N60UFTU

osa: 5660

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
HGTG20N60C3D
ON Semiconductor

HGTG20N60C3D

osa: 6652

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A, Teho - maks: 164W,

Toivelistaan
SGS5N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGS5N60RUFDTU

osa: 6634

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 15A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 5A, Teho - maks: 35W,

Toivelistaan
IRG4RC10UPBF
Infineon Technologies

IRG4RC10UPBF

osa: 5761

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8.5A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 34A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
IRG4RC20FTR
Infineon Technologies

IRG4RC20FTR

osa: 6596

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 22A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 44A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Teho - maks: 66W,

Toivelistaan
IRGB6B60KPBF
Infineon Technologies

IRGB6B60KPBF

osa: 85722

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 26A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A, Teho - maks: 90W,

Toivelistaan
IRG4BC20FD
Infineon Technologies

IRG4BC20FD

osa: 6603

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 64A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRG4BC10K
Infineon Technologies

IRG4BC10K

osa: 6552

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 9A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
SGD02N60BUMA1
Infineon Technologies

SGD02N60BUMA1

osa: 163175

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 12A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A, Teho - maks: 30W,

Toivelistaan
IKW50N65ES5XKSA1
Infineon Technologies

IKW50N65ES5XKSA1

osa: 13298

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Teho - maks: 274W,

Toivelistaan
IKW50N65F5FKSA1
Infineon Technologies

IKW50N65F5FKSA1

osa: 16471

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Teho - maks: 305W,

Toivelistaan
IRG6B330UDPBF
Infineon Technologies

IRG6B330UDPBF

osa: 21973

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 330V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.76V @ 15V, 120A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IRGIB7B60KDPBF
Infineon Technologies

IRGIB7B60KDPBF

osa: 30818

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 24A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A, Teho - maks: 39W,

Toivelistaan
IRGPC30FD2
Infineon Technologies

IRGPC30FD2

osa: 6606

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 31A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 17A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IKD04N60RFAATMA1
Infineon Technologies

IKD04N60RFAATMA1

osa: 109880

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 12A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A, Teho - maks: 75W,

Toivelistaan
IXSK80N60B
IXYS

IXSK80N60B

osa: 6644

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 80A, Teho - maks: 500W,

Toivelistaan
IXYT30N65C3H1HV
IXYS

IXYT30N65C3H1HV

osa: 11544

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 118A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 270W,

Toivelistaan
IXGR48N60B3D4A
IXYS

IXGR48N60B3D4A

osa: 12306

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V,

Toivelistaan
IXGP12N120A2
IXYS

IXGP12N120A2

osa: 27427

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 48A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Teho - maks: 75W,

Toivelistaan
IXSX40N60BD1
IXYS

IXSX40N60BD1

osa: 6691

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 280W,

Toivelistaan
IXGR50N60BD1
IXYS

IXGR50N60BD1

osa: 6655

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXGT50N90B2
IXYS

IXGT50N90B2

osa: 10171

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Teho - maks: 400W,

Toivelistaan
IXGQ120N30TCD1
IXYS

IXGQ120N30TCD1

osa: 12576

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A,

Toivelistaan
IXST30N60B2D1
IXYS

IXST30N60B2D1

osa: 6601

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 48A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXGP12N100A
IXYS

IXGP12N100A

osa: 22801

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 48A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXGT40N60C2
IXYS

IXGT40N60C2

osa: 6616

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGK120N60C2
IXYS

IXGK120N60C2

osa: 6642

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 500A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A, Teho - maks: 830W,

Toivelistaan
IXST30N60CD1
IXYS

IXST30N60CD1

osa: 6704

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 110A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
STGD20N40LZ
STMicroelectronics

STGD20N40LZ

osa: 71157

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 390V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan