Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

NGB8206NT4G
Littelfuse Inc.

NGB8206NT4G

osa: 6623

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 390V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IRG4PC30WPBF
Infineon Technologies

IRG4PC30WPBF

osa: 24020

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 92A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRGS4065PBF
Infineon Technologies

IRGS4065PBF

osa: 5663

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 70A, Teho - maks: 178W,

Toivelistaan
SGB15N120ATMA1
Infineon Technologies

SGB15N120ATMA1

osa: 30722

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 52A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A, Teho - maks: 198W,

Toivelistaan
IRGPF40F
Infineon Technologies

IRGPF40F

osa: 6593

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 31A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 17A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IRG4PSH71UPBF
Infineon Technologies

IRG4PSH71UPBF

osa: 6561

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 99A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 70A, Teho - maks: 350W,

Toivelistaan
IRGPC50FD2
Infineon Technologies

IRGPC50FD2

osa: 6578

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 39A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IRG4BH20K-S
Infineon Technologies

IRG4BH20K-S

osa: 6542

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 11A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 22A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRG4PC30U
Infineon Technologies

IRG4PC30U

osa: 6588

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 92A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRG4BC40U
Infineon Technologies

IRG4BC40U

osa: 6518

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IRG4BC20KDSTRRP
Infineon Technologies

IRG4BC20KDSTRRP

osa: 42708

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 32A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRG4BC20SDPBF
Infineon Technologies

IRG4BC20SDPBF

osa: 6619

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 19A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 38A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRG4BC20K-SPBF
Infineon Technologies

IRG4BC20K-SPBF

osa: 6600

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 32A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRG4BH20K-L
Infineon Technologies

IRG4BH20K-L

osa: 6575

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 11A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 22A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRGB6B60KDPBF
Infineon Technologies

IRGB6B60KDPBF

osa: 32614

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 26A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A, Teho - maks: 90W,

Toivelistaan
IXSR35N120BD1
IXYS

IXSR35N120BD1

osa: 6702

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 140A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 35A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXGH20N120A3
IXYS

IXGH20N120A3

osa: 10718

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 180W,

Toivelistaan
IXSR40N60BD1
IXYS

IXSR40N60BD1

osa: 6696

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 170W,

Toivelistaan
IXGH22N140IH
IXYS

IXGH22N140IH

osa: 13635

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1400V,

Toivelistaan
IXGP15N100C
IXYS

IXGP15N100C

osa: 12660

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGT40N60B2D1
IXYS

IXGT40N60B2D1

osa: 6654

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGR40N60B2
IXYS

IXGR40N60B2

osa: 6670

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
IXGH40N60C2
IXYS

IXGH40N60C2

osa: 6648

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXSH15N120B
IXYS

IXSH15N120B

osa: 5722

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGH10N100U1
IXYS

IXGH10N100U1

osa: 6573

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 10A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXGQ200N30PB
IXYS

IXGQ200N30PB

osa: 10383

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A,

Toivelistaan
IXGT32N90B2D1
IXYS

IXGT32N90B2D1

osa: 10846

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 64A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 32A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGK60N60C2D1
IXYS

IXGK60N60C2D1

osa: 6656

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Teho - maks: 480W,

Toivelistaan
IXGQ96N30TCD1
IXYS

IXGQ96N30TCD1

osa: 12520

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 320V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 96A,

Toivelistaan
IXGX50N60BD1
IXYS

IXGX50N60BD1

osa: 6639

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
GPA060A060MN-FD
Global Power Technologies Group

GPA060A060MN-FD

osa: 27610

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Teho - maks: 347W,

Toivelistaan
STGP10NC60K
STMicroelectronics

STGP10NC60K

osa: 6602

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
STGP7NB60HD
STMicroelectronics

STGP7NB60HD

osa: 5714

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 56A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A, Teho - maks: 80W,

Toivelistaan
FGH75N60SFTU
ON Semiconductor

FGH75N60SFTU

osa: 13647

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A, Teho - maks: 452W,

Toivelistaan
HGTP3N60A4D
ON Semiconductor

HGTP3N60A4D

osa: 51983

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A, Teho - maks: 70W,

Toivelistaan
HGTP2N120CN
ON Semiconductor

HGTP2N120CN

osa: 6659

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A, Teho - maks: 104W,

Toivelistaan