Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IRG4BC30W-SPBF
Infineon Technologies

IRG4BC30W-SPBF

osa: 53177

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 92A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRGSL6B60KDPBF
Infineon Technologies

IRGSL6B60KDPBF

osa: 36257

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 26A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A, Teho - maks: 90W,

Toivelistaan
IRGS14C40LTRLP
Infineon Technologies

IRGS14C40LTRLP

osa: 39102

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
IGB01N120H2ATMA1
Infineon Technologies

IGB01N120H2ATMA1

osa: 100516

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3.2A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 3.5A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1A, Teho - maks: 28W,

Toivelistaan
IKD10N60RFAATMA1
Infineon Technologies

IKD10N60RFAATMA1

osa: 76538

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IRGBC30U
Infineon Technologies

IRGBC30U

osa: 6533

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRGB4B60KD1PBF
Infineon Technologies

IRGB4B60KD1PBF

osa: 43674

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 11A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 22A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A, Teho - maks: 63W,

Toivelistaan
IGP30N65F5XKSA1
Infineon Technologies

IGP30N65F5XKSA1

osa: 44897

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Teho - maks: 188W,

Toivelistaan
IRG4PH30KD
Infineon Technologies

IRG4PH30KD

osa: 6581

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 10A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRG4BC20U
Infineon Technologies

IRG4BC20U

osa: 6513

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 52A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRGPS40B120UDP
Infineon Technologies

IRGPS40B120UDP

osa: 5783

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Teho - maks: 595W,

Toivelistaan
IRGB8B60KPBF
Infineon Technologies

IRGB8B60KPBF

osa: 80644

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 26A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
IKW50N65H5AXKSA1
Infineon Technologies

IKW50N65H5AXKSA1

osa: 12370

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Teho - maks: 270W,

Toivelistaan
IRG4RC10K
Infineon Technologies

IRG4RC10K

osa: 6535

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 9A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
IRG4BAC50W-SPBF
Infineon Technologies

IRG4BAC50W-SPBF

osa: 6644

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 27A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGH32N90B2D1
IXYS

IXGH32N90B2D1

osa: 12819

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 64A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 32A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGH60N60C2
IXYS

IXGH60N60C2

osa: 6658

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Teho - maks: 480W,

Toivelistaan
IXSH50N60B
IXYS

IXSH50N60B

osa: 6655

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXSH35N140A
IXYS

IXSH35N140A

osa: 6699

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 140A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGA7N60CD1
IXYS

IXGA7N60CD1

osa: 6639

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A, Teho - maks: 75W,

Toivelistaan
IXGH32N100A3
IXYS

IXGH32N100A3

osa: 11956

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 32A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGR50N60C2D1
IXYS

IXGR50N60C2D1

osa: 6712

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGH32N60C
IXYS

IXGH32N60C

osa: 6573

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
FGB40N6S2T
ON Semiconductor

FGB40N6S2T

osa: 6656

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Teho - maks: 290W,

Toivelistaan
NGB8206NT4
ON Semiconductor

NGB8206NT4

osa: 6645

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 390V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
SGR6N60UFTM
ON Semiconductor

SGR6N60UFTM

osa: 5700

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 25A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A, Teho - maks: 30W,

Toivelistaan
FGA5065ADF
ON Semiconductor

FGA5065ADF

osa: 20873

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Teho - maks: 268W,

Toivelistaan
FGH40T65SHD-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SHD-F155

osa: 5732

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 268W,

Toivelistaan
NGP15N41CL
ON Semiconductor

NGP15N41CL

osa: 6595

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 440V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 4V, 10A, Teho - maks: 107W,

Toivelistaan
FGH40T65SH-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SH-F155

osa: 6513

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 268W,

Toivelistaan
FGY100T65SCDT
ON Semiconductor

FGY100T65SCDT

osa: 6572

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A, Teho - maks: 750W,

Toivelistaan
FGA70N30TTU
ON Semiconductor

FGA70N30TTU

osa: 6635

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 201W,

Toivelistaan
SGF23N60UFTU
ON Semiconductor

SGF23N60UFTU

osa: 41664

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 92A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A, Teho - maks: 75W,

Toivelistaan
RJH60A83RDPE-00#J3
Renesas Electronics America

RJH60A83RDPE-00#J3

osa: 6526

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 10A, Teho - maks: 52W,

Toivelistaan
STGP3NB60K
STMicroelectronics

STGP3NB60K

osa: 6656

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 24A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A, Teho - maks: 50W,

Toivelistaan
STGB3NB60KDT4
STMicroelectronics

STGB3NB60KDT4

osa: 6661

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 24A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A, Teho - maks: 50W,

Toivelistaan