Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

NGB8206ANSL3G
Littelfuse Inc.

NGB8206ANSL3G

osa: 55812

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 390V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
RGW80TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGW80TS65DGC11

osa: 2917

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 78A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Teho - maks: 214W,

Toivelistaan
RGW60TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGW60TS65GC11

osa: 2827

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Teho - maks: 178W,

Toivelistaan
RGTV00TK65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTV00TK65DGC11

osa: 2789

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Teho - maks: 94W,

Toivelistaan
STGB6M65DF2
STMicroelectronics

STGB6M65DF2

osa: 124579

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 24A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A, Teho - maks: 88W,

Toivelistaan
STGW60V60F
STMicroelectronics

STGW60V60F

osa: 13237

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
STGWA75M65DF2
STMicroelectronics

STGWA75M65DF2

osa: 12670

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 468W,

Toivelistaan
STGW8M120DF3
STMicroelectronics

STGW8M120DF3

osa: 260

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 32A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
STGWT30V60F
STMicroelectronics

STGWT30V60F

osa: 22373

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Teho - maks: 260W,

Toivelistaan
STGW20IH125DF
STMicroelectronics

STGW20IH125DF

osa: 18725

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1250V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Teho - maks: 259W,

Toivelistaan
STGWT20V60DF
STMicroelectronics

STGWT20V60DF

osa: 22221

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
STGWT80H65FB
STMicroelectronics

STGWT80H65FB

osa: 6478

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Teho - maks: 469W,

Toivelistaan
IRG4BC20FDPBF
Infineon Technologies

IRG4BC20FDPBF

osa: 29652

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 64A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IGP20N65F5XKSA1
Infineon Technologies

IGP20N65F5XKSA1

osa: 60280

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 42A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
IGW75N60TFKSA1
Infineon Technologies

IGW75N60TFKSA1

osa: 10915

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Teho - maks: 428W,

Toivelistaan
IRGP4066D-EPBF
Infineon Technologies

IRGP4066D-EPBF

osa: 6253

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 140A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 454W,

Toivelistaan
IKP04N60TXKSA1
Infineon Technologies

IKP04N60TXKSA1

osa: 80940

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 12A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A, Teho - maks: 42W,

Toivelistaan
IKW25N120T2FKSA1
Infineon Technologies

IKW25N120T2FKSA1

osa: 3168

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Teho - maks: 349W,

Toivelistaan
IXDP20N60BD1
IXYS

IXDP20N60BD1

osa: 16353

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 32A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Teho - maks: 140W,

Toivelistaan
IXYH24N90C3D1
IXYS

IXYH24N90C3D1

osa: 7698

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 44A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 105A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXBH5N160G
IXYS

IXBH5N160G

osa: 12996

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5.7A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A, Teho - maks: 68W,

Toivelistaan
IXXX300N60B3
IXYS

IXXX300N60B3

osa: 2780

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 550A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 1140A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A, Teho - maks: 2300W,

Toivelistaan
IXBH42N170A
IXYS

IXBH42N170A

osa: 3755

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 42A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 265A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A, Teho - maks: 357W,

Toivelistaan
IXGK64N60B3D1
IXYS

IXGK64N60B3D1

osa: 6931

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Teho - maks: 460W,

Toivelistaan
IXBH20N300
IXYS

IXBH20N300

osa: 1970

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 140A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXYP15N65C3D1
IXYS

IXYP15N65C3D1

osa: 30334

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 38A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGP30N60C3D4
IXYS

IXGP30N60C3D4

osa: 21976

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Teho - maks: 220W,

Toivelistaan
IXBT2N250
IXYS

IXBT2N250

osa: 4763

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 13A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A, Teho - maks: 32W,

Toivelistaan
IXGT6N170AHV
IXYS

IXGT6N170AHV

osa: 6987

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 14A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 15V, 3A, Teho - maks: 75W,

Toivelistaan
IXBH16N170A
IXYS

IXBH16N170A

osa: 5395

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXXX200N60B3
IXYS

IXXX200N60B3

osa: 173

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 380A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 900A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A, Teho - maks: 1630W,

Toivelistaan
FGP3040G2-F085
ON Semiconductor

FGP3040G2-F085

osa: 2590

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 41A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
NGTB40N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB40N60L2WG

osa: 15833

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A, Teho - maks: 417W,

Toivelistaan
NGTB15N120FLWG
ON Semiconductor

NGTB15N120FLWG

osa: 17142

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Teho - maks: 156W,

Toivelistaan
NGTG15N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG15N120FL2WG

osa: 24869

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Teho - maks: 294W,

Toivelistaan
HGTG12N60C3D
ON Semiconductor

HGTG12N60C3D

osa: 11041

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Teho - maks: 104W,

Toivelistaan