Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IXGT72N60B3
IXYS

IXGT72N60B3

osa: 8633

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A, Teho - maks: 540W,

Toivelistaan
IXYX40N250CHV
IXYS

IXYX40N250CHV

osa: 1840

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 380A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 1500W,

Toivelistaan
IXXH50N60B3D1
IXYS

IXXH50N60B3D1

osa: 8099

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A, Teho - maks: 600W,

Toivelistaan
IXGK400N30A3
IXYS

IXGK400N30A3

osa: 4440

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 1200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.15V @ 15V, 100A, Teho - maks: 1000W,

Toivelistaan
IXYP8N90C3
IXYS

IXYP8N90C3

osa: 32569

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 48A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
IXGP12N120A3
IXYS

IXGP12N120A3

osa: 30143

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 22A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXGT24N170
IXYS

IXGT24N170

osa: 5594

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 24A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXYH24N90C3
IXYS

IXYH24N90C3

osa: 12918

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 46A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 110A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A, Teho - maks: 240W,

Toivelistaan
IXBF15N300C
IXYS

IXBF15N300C

osa: 1343

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 37A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 15A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGH50N120C3
IXYS

IXGH50N120C3

osa: 6699

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 250A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 460W,

Toivelistaan
IXYH50N65C3D1
IXYS

IXYH50N65C3D1

osa: 244

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 132A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 250A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A, Teho - maks: 600W,

Toivelistaan
IXXX300N60C3
IXYS

IXXX300N60C3

osa: 3246

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 510A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 1075A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A, Teho - maks: 2300W,

Toivelistaan
IXDR35N60BD1
IXYS

IXDR35N60BD1

osa: 8996

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 38A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 48A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 35A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
IXGA20N120B3
IXYS

IXGA20N120B3

osa: 17652

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 36A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 16A, Teho - maks: 180W,

Toivelistaan
IXYH40N120C3
IXYS

IXYH40N120C3

osa: 7265

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 115A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 577W,

Toivelistaan
IXYP10N65C3D1
IXYS

IXYP10N65C3D1

osa: 27173

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 54A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IXXP50N60B3
IXYS

IXXP50N60B3

osa: 178

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A, Teho - maks: 600W,

Toivelistaan
STGP20V60DF
STMicroelectronics

STGP20V60DF

osa: 28042

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
STGW15M120DF3
STMicroelectronics

STGW15M120DF3

osa: 16127

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A, Teho - maks: 259W,

Toivelistaan
STGWT40V60DF
STMicroelectronics

STGWT40V60DF

osa: 14835

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Teho - maks: 283W,

Toivelistaan
STGF17NC60SD
STMicroelectronics

STGF17NC60SD

osa: 28912

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 12A, Teho - maks: 32W,

Toivelistaan
STGW30NC60W
STMicroelectronics

STGW30NC60W

osa: 13627

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
STGW25S120DF3
STMicroelectronics

STGW25S120DF3

osa: 8199

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
STGW80V60F
STMicroelectronics

STGW80V60F

osa: 10257

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A, Teho - maks: 469W,

Toivelistaan
NGTG25N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG25N120FL2WG

osa: 20366

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Teho - maks: 385W,

Toivelistaan
FGH15T120SMD-F155
ON Semiconductor

FGH15T120SMD-F155

osa: 2318

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Teho - maks: 333W,

Toivelistaan
FGB3040CS
ON Semiconductor

FGB3040CS

osa: 33497

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 21A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
FGL12040WD
ON Semiconductor

FGL12040WD

osa: 12525

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Teho - maks: 391W,

Toivelistaan
HGTP3N60A4
ON Semiconductor

HGTP3N60A4

osa: 56586

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A, Teho - maks: 70W,

Toivelistaan
FGB7N60UNDF
ON Semiconductor

FGB7N60UNDF

osa: 54229

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 21A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 7A, Teho - maks: 83W,

Toivelistaan
FGH50T65UPD
ON Semiconductor

FGH50T65UPD

osa: 13856

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Teho - maks: 340W,

Toivelistaan
IKA08N65H5XKSA1
Infineon Technologies

IKA08N65H5XKSA1

osa: 36870

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10.8A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 24A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Teho - maks: 31.2W,

Toivelistaan
IKW15N120BH6XKSA1
Infineon Technologies

IKW15N120BH6XKSA1

osa: 160

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IHW30N65R5XKSA1
Infineon Technologies

IHW30N65R5XKSA1

osa: 20515

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 176W,

Toivelistaan
RGTH60TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTH60TS65DGC11

osa: 22133

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 58A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Teho - maks: 194W,

Toivelistaan
RJH60A83RDPN-E0#T2
Renesas Electronics America

RJH60A83RDPN-E0#T2

osa: 30033

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A,

Toivelistaan