Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IKW40N65WR5XKSA1
Infineon Technologies

IKW40N65WR5XKSA1

osa: 17731

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Teho - maks: 230W,

Toivelistaan
IKW30N60TFKSA1
Infineon Technologies

IKW30N60TFKSA1

osa: 1443

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A, Teho - maks: 187W,

Toivelistaan
IRG4IBC20KDPBF
Infineon Technologies

IRG4IBC20KDPBF

osa: 24737

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 11.5A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 23A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A, Teho - maks: 34W,

Toivelistaan
IRG7PH42UDPBF
Infineon Technologies

IRG7PH42UDPBF

osa: 5586

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 320W,

Toivelistaan
IHW30N120R3FKSA1
Infineon Technologies

IHW30N120R3FKSA1

osa: 15135

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A, Teho - maks: 349W,

Toivelistaan
IKQ40N120CT2XKSA1
Infineon Technologies

IKQ40N120CT2XKSA1

osa: 11048

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A, Teho - maks: 500W,

Toivelistaan
IRG7PH46UDPBF
Infineon Technologies

IRG7PH46UDPBF

osa: 6648

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 390W,

Toivelistaan
IHW15N120E1XKSA1
Infineon Technologies

IHW15N120E1XKSA1

osa: 30608

IGBT-tyyppi: NPT and Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Teho - maks: 156W,

Toivelistaan
IKW20N60TFKSA1
Infineon Technologies

IKW20N60TFKSA1

osa: 19477

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A, Teho - maks: 166W,

Toivelistaan
IKW15T120FKSA1
Infineon Technologies

IKW15T120FKSA1

osa: 17375

IGBT-tyyppi: NPT, Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Teho - maks: 110W,

Toivelistaan
IHW25N120E1XKSA1
Infineon Technologies

IHW25N120E1XKSA1

osa: 19159

IGBT-tyyppi: NPT and Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 75A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A, Teho - maks: 231W,

Toivelistaan
STGP30H60DFB
STMicroelectronics

STGP30H60DFB

osa: 23909

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 260W,

Toivelistaan
STGWA25H120DF2
STMicroelectronics

STGWA25H120DF2

osa: 9192

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
STGW60V60DF
STMicroelectronics

STGW60V60DF

osa: 11172

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
STGWA40H120DF2
STMicroelectronics

STGWA40H120DF2

osa: 7702

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Teho - maks: 468W,

Toivelistaan
STGF15M65DF2
STMicroelectronics

STGF15M65DF2

osa: 30577

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Teho - maks: 31W,

Toivelistaan
FGH40N60SMD-F085
ON Semiconductor

FGH40N60SMD-F085

osa: 2954

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 349W,

Toivelistaan
FGH40T70SHD-F155
ON Semiconductor

FGH40T70SHD-F155

osa: 2540

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A, Teho - maks: 268W,

Toivelistaan
HGTG18N120BN
ON Semiconductor

HGTG18N120BN

osa: 11952

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 54A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 165A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A, Teho - maks: 390W,

Toivelistaan
NGTD13T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD13T65F2SWK

osa: 43681

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A,

Toivelistaan
IXXH100N60B3
IXYS

IXXH100N60B3

osa: 7025

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 480A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A, Teho - maks: 830W,

Toivelistaan
IXYX40N450HV
IXYS

IXYX40N450HV

osa: 249

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 95A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 350A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A, Teho - maks: 660W,

Toivelistaan
IXGP30N60C3C1
IXYS

IXGP30N60C3C1

osa: 5128

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Teho - maks: 220W,

Toivelistaan
IXGH10N170A
IXYS

IXGH10N170A

osa: 11892

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 5A, Teho - maks: 140W,

Toivelistaan
IXYH40N120B3D1
IXYS

IXYH40N120B3D1

osa: 7588

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 86A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Teho - maks: 480W,

Toivelistaan
IXBH28N170A
IXYS

IXBH28N170A

osa: 3818

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 14A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGR48N60B3D1
IXYS

IXGR48N60B3D1

osa: 11875

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 280A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXBH40N160
IXYS

IXBH40N160

osa: 2941

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 33A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 7.1V @ 15V, 20A, Teho - maks: 350W,

Toivelistaan
IXYN150N60B3
IXYS

IXYN150N60B3

osa: 251

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 250A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 750A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A, Teho - maks: 830W,

Toivelistaan
IXGX120N120B3
IXYS

IXGX120N120B3

osa: 3140

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 370A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A, Teho - maks: 830W,

Toivelistaan
IXBH20N360HV
IXYS

IXBH20N360HV

osa: 2018

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 220A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A, Teho - maks: 430W,

Toivelistaan
IXGH72N60A3
IXYS

IXGH72N60A3

osa: 9745

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A, Teho - maks: 540W,

Toivelistaan
IXBT10N170
IXYS

IXBT10N170

osa: 8292

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A, Teho - maks: 140W,

Toivelistaan
IXBF40N160
IXYS

IXBF40N160

osa: 3192

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 7.1V @ 15V, 20A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXGH40N120B2D1
IXYS

IXGH40N120B2D1

osa: 5573

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 380W,

Toivelistaan
IXYH10N170C
IXYS

IXYH10N170C

osa: 8181

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 36A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 84A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A, Teho - maks: 280W,

Toivelistaan