Transistorit - IGBT - Single

IKY75N120CS6XKSA1

osa: 1410

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A, Teho - maks: 880W,

IRGP4063PBF

osa: 15252

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 96A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 144A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.14V @ 15V, 48A, Teho - maks: 330W,

IGB20N65S5ATMA1

osa: 73207

IKP06N60TXKSA1

osa: 78674

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A, Teho - maks: 88W,

IGW40N60H3FKSA1

osa: 22204

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 306W,

IKZ50N65EH5XKSA1

osa: 12708

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Teho - maks: 273W,

IKQ75N120CH3XKSA1

osa: 6232

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A, Teho - maks: 938W,

IGP06N60TXKSA1

osa: 88694

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A, Teho - maks: 88W,

RGT50TS65DGC11

osa: 20970

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 48A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 75A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Teho - maks: 174W,

RGTV00TS65DGC11

osa: 2823

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 95A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Teho - maks: 276W,

RGT60TS65DGC11

osa: 22178

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Teho - maks: 194W,

RGW80TS65GC11

osa: 2956

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 78A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Teho - maks: 214W,

IXYK140N90C3

osa: 5210

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 310A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 840A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 140A, Teho - maks: 1630W,

IXXX200N60C3

osa: 4336

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 340A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 900A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

IXYH40N120C3D1

osa: 5657

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 64A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 105A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 480W,

IXGT24N170A

osa: 5282

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 75A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A, Teho - maks: 250W,

IXXH75N60B3D1

osa: 7365

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A, Teho - maks: 750W,

IXYX140N90C3

osa: 5325

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 310A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 840A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 140A, Teho - maks: 1630W,

IXGK82N120B3

osa: 3945

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 230A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 500A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A, Teho - maks: 1250W,

IXGT2N250

osa: 4655

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5.5A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 13.5A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 2A, Teho - maks: 32W,

IXGH32N170

osa: 3716

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A, Teho - maks: 350W,

IXBF32N300

osa: 1286

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 250A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A, Teho - maks: 160W,

IXYK100N65B3D1

osa: 225

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 225A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 460A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A, Teho - maks: 830W,

IXYH8N250CHV

osa: 161

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 29A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 70A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A, Teho - maks: 280W,

MMIX1X200N60B3H1

osa: 1881

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 175A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 1000A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A, Teho - maks: 520W,

FGD3245G2-F085

osa: 225

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

FGL35N120FTDTU

osa: 7370

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 105A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 35A, Teho - maks: 368W,

FGAF40S65AQ

osa: 2371

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 94W,

FGH30S130P

osa: 13155

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Teho - maks: 500W,

STGWA40H60DLFB

osa: 22747

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 7V, 40A, Teho - maks: 283W,

STGP19NC60W

osa: 16218

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Teho - maks: 130W,

STGWA60H65DFB

osa: 13160

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Teho - maks: 375W,

STGFW40H65FB

osa: 27694

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 62.5W,

STGP30H65F

osa: 23791

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Teho - maks: 260W,

NGD18N40ACLBT4G

osa: 110740

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, Teho - maks: 115W,

RJP60D0DPP-M0#T2

osa: 24618

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A, Teho - maks: 35W,