Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IKB20N65EH5ATMA1
Infineon Technologies

IKB20N65EH5ATMA1

osa: 382

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 38A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
IKQ75N120CS6XKSA1
Infineon Technologies

IKQ75N120CS6XKSA1

osa: 710

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A, Teho - maks: 880W,

Toivelistaan
IHW40N135R3FKSA1
Infineon Technologies

IHW40N135R3FKSA1

osa: 12671

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1350V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A, Teho - maks: 429W,

Toivelistaan
IKB40N65EF5ATMA1
Infineon Technologies

IKB40N65EF5ATMA1

osa: 413

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 74A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IHW25N120R2FKSA1
Infineon Technologies

IHW25N120R2FKSA1

osa: 400

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 75A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 25A, Teho - maks: 365W,

Toivelistaan
IGU04N60TAKMA1
Infineon Technologies

IGU04N60TAKMA1

osa: 122853

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 12A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A, Teho - maks: 42W,

Toivelistaan
IRGP4640DPBF
Infineon Technologies

IRGP4640DPBF

osa: 12686

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 65A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 72A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXGH32N170A
IXYS

IXGH32N170A

osa: 3508

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 32A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 110A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 21A, Teho - maks: 350W,

Toivelistaan
IXYX120N120C3
IXYS

IXYX120N120C3

osa: 2752

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 240A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 700A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 120A, Teho - maks: 1500W,

Toivelistaan
IXXK300N60C3
IXYS

IXXK300N60C3

osa: 3248

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 510A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 1075A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A, Teho - maks: 2300W,

Toivelistaan
IXYQ40N65C3D1
IXYS

IXYQ40N65C3D1

osa: 207

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXXH40N65B4
IXYS

IXXH40N65B4

osa: 16004

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Teho - maks: 455W,

Toivelistaan
IXYK100N120C3
IXYS

IXYK100N120C3

osa: 3388

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 188A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 490A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A, Teho - maks: 1150W,

Toivelistaan
IXGH36N60B3D1
IXYS

IXGH36N60B3D1

osa: 12902

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXGT16N170A
IXYS

IXGT16N170A

osa: 6979

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 11A, Teho - maks: 190W,

Toivelistaan
IXBX75N170
IXYS

IXBX75N170

osa: 1443

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 580A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 1040W,

Toivelistaan
IXBF9N160G
IXYS

IXBF9N160G

osa: 6805

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 15V, 5A, Teho - maks: 70W,

Toivelistaan
IXBT42N170
IXYS

IXBT42N170

osa: 3163

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A, Teho - maks: 360W,

Toivelistaan
IXYH60N90C3
IXYS

IXYH60N90C3

osa: 9864

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 140A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 310A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A, Teho - maks: 750W,

Toivelistaan
MMIX1G120N120A3V1
IXYS

MMIX1G120N120A3V1

osa: 1509

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 700A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A, Teho - maks: 400W,

Toivelistaan
NGTB40N65IHL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHL2WG

osa: 15225

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
NGTD21T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD21T65F2WP

osa: 28668

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 45A,

Toivelistaan
FGA30S120P
ON Semiconductor

FGA30S120P

osa: 11061

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Teho - maks: 348W,

Toivelistaan
NGTG20N60L2TF1G
ON Semiconductor

NGTG20N60L2TF1G

osa: 36618

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 105A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A, Teho - maks: 64W,

Toivelistaan
FGI3236-F085
ON Semiconductor

FGI3236-F085

osa: 2622

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 360V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 44A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 4V, 6A, Teho - maks: 187W,

Toivelistaan
ISL9V3036S3ST
ON Semiconductor

ISL9V3036S3ST

osa: 57552

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 360V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 21A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
NGTB40N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N120FL2WG

osa: 7703

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 535W,

Toivelistaan
STGWA15S120DF3
STMicroelectronics

STGWA15S120DF3

osa: 10160

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A, Teho - maks: 259W,

Toivelistaan
STGB40V60F
STMicroelectronics

STGB40V60F

osa: 32232

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Teho - maks: 283W,

Toivelistaan
STGW40V60DLF
STMicroelectronics

STGW40V60DLF

osa: 18285

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Teho - maks: 283W,

Toivelistaan
STGW15S120DF3
STMicroelectronics

STGW15S120DF3

osa: 10529

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A, Teho - maks: 259W,

Toivelistaan
STGWA30H65FB
STMicroelectronics

STGWA30H65FB

osa: 314

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 260W,

Toivelistaan
RJP6085DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJP6085DPK-00#T0

osa: 16923

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 178.5W,

Toivelistaan
RGTH60TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGTH60TS65GC11

osa: 22572

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 58A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Teho - maks: 197W,

Toivelistaan
NGB15N41ACLT4G
Littelfuse Inc.

NGB15N41ACLT4G

osa: 88361

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 440V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 4V, 10A, Teho - maks: 107W,

Toivelistaan
NGB8204ANT4G
Littelfuse Inc.

NGB8204ANT4G

osa: 88364

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 18A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, Teho - maks: 115W,

Toivelistaan