Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

FGA15S125P
ON Semiconductor

FGA15S125P

osa: 64311

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1250V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.72V @ 15V, 15A, Teho - maks: 136W,

Toivelistaan
ISL9V3040D3ST
ON Semiconductor

ISL9V3040D3ST

osa: 110742

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 21A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
HGTP7N60A4
ON Semiconductor

HGTP7N60A4

osa: 63084

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 34A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 56A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
FGA25S125P-SN00337
ON Semiconductor

FGA25S125P-SN00337

osa: 2956

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1250V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 75A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
NGTD30T120F2WP
ON Semiconductor

NGTD30T120F2WP

osa: 18869

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Toivelistaan
NGTB15N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB15N135IHRWG

osa: 24545

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1350V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 15A, Teho - maks: 357W,

Toivelistaan
IXGH16N170A
IXYS

IXGH16N170A

osa: 7470

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 11A, Teho - maks: 190W,

Toivelistaan
IXGT16N170
IXYS

IXGT16N170

osa: 7318

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 32A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 16A, Teho - maks: 190W,

Toivelistaan
IXGT6N170
IXYS

IXGT6N170

osa: 16088

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 24A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 6A, Teho - maks: 75W,

Toivelistaan
IXYY8N90C3
IXYS

IXYY8N90C3

osa: 34754

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 48A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
IXGX320N60A3
IXYS

IXGX320N60A3

osa: 4475

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 320A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 700A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A, Teho - maks: 1000W,

Toivelistaan
IXGX64N60B3D1
IXYS

IXGX64N60B3D1

osa: 6993

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Teho - maks: 460W,

Toivelistaan
IXYR100N120C3
IXYS

IXYR100N120C3

osa: 3938

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 104A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 480A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A, Teho - maks: 484W,

Toivelistaan
IXGR72N60C3D1
IXYS

IXGR72N60C3D1

osa: 6293

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXYF30N450
IXYS

IXYF30N450

osa: 880

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 190A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 30A, Teho - maks: 230W,

Toivelistaan
IXYN50N170CV1
IXYS

IXYN50N170CV1

osa: 1639

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 485A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Teho - maks: 880W,

Toivelistaan
IXGH32N120A3
IXYS

IXGH32N120A3

osa: 8617

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 230A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 32A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
STGWA45HF60WDI
STMicroelectronics

STGWA45HF60WDI

osa: 12010

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Teho - maks: 310W,

Toivelistaan
STGW40V60F
STMicroelectronics

STGW40V60F

osa: 27550

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Teho - maks: 283W,

Toivelistaan
STGWT80V60F
STMicroelectronics

STGWT80V60F

osa: 6161

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A, Teho - maks: 469W,

Toivelistaan
STGWT28IH125DF
STMicroelectronics

STGWT28IH125DF

osa: 19868

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1250V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
STGP19NC60S
STMicroelectronics

STGP19NC60S

osa: 16726

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 12A, Teho - maks: 130W,

Toivelistaan
STGWT60V60DF
STMicroelectronics

STGWT60V60DF

osa: 13166

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
STGP100N30
STMicroelectronics

STGP100N30

osa: 11527

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 330V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IRG4PC40SPBF
Infineon Technologies

IRG4PC40SPBF

osa: 12502

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 31A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IGW20N60H3FKSA1
Infineon Technologies

IGW20N60H3FKSA1

osa: 24994

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Teho - maks: 170W,

Toivelistaan
IHW30N135R3FKSA1
Infineon Technologies

IHW30N135R3FKSA1

osa: 14449

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1350V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A, Teho - maks: 349W,

Toivelistaan
IKP10N60TXKSA1
Infineon Technologies

IKP10N60TXKSA1

osa: 39891

IGBT-tyyppi: NPT, Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A, Teho - maks: 110W,

Toivelistaan
IRGP4069D-EPBF
Infineon Technologies

IRGP4069D-EPBF

osa: 9294

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 76A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 105A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 35A, Teho - maks: 268W,

Toivelistaan
IKW40N60H3FKSA1
Infineon Technologies

IKW40N60H3FKSA1

osa: 14002

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 306W,

Toivelistaan
IGW40N120H3FKSA1
Infineon Technologies

IGW40N120H3FKSA1

osa: 3823

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 483W,

Toivelistaan
IRG4BH20K-LPBF
Infineon Technologies

IRG4BH20K-LPBF

osa: 30344

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 11A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 22A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IKZ75N65EL5XKSA1
Infineon Technologies

IKZ75N65EL5XKSA1

osa: 8003

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A, Teho - maks: 536W,

Toivelistaan
RJH60V2BDPP-M0#T2
Renesas Electronics America

RJH60V2BDPP-M0#T2

osa: 24540

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A, Teho - maks: 34W,

Toivelistaan
SLA5227
Sanken

SLA5227

osa: 10485

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A,

Toivelistaan
NGB8202ANT4G
Littelfuse Inc.

NGB8202ANT4G

osa: 88374

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 440V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan