Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IXBP5N160G
IXYS

IXBP5N160G

osa: 14967

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5.7A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A, Teho - maks: 68W,

Toivelistaan
MMIX1X200N60B3
IXYS

MMIX1X200N60B3

osa: 2240

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 223A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 1000A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A, Teho - maks: 625W,

Toivelistaan
IXGT72N60A3
IXYS

IXGT72N60A3

osa: 8711

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A, Teho - maks: 540W,

Toivelistaan
FID60-06D
IXYS

FID60-06D

osa: 6174

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 65A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGA48N60A3
IXYS

IXGA48N60A3

osa: 19183

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXYT20N120C3D1HV
IXYS

IXYT20N120C3D1HV

osa: 174

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 36A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 88A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A, Teho - maks: 230W,

Toivelistaan
IXYH10N170CV1
IXYS

IXYH10N170CV1

osa: 6093

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 36A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 84A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A, Teho - maks: 280W,

Toivelistaan
IXBX50N360HV
IXYS

IXBX50N360HV

osa: 1278

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 125A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 420A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A, Teho - maks: 660W,

Toivelistaan
IXBT42N300HV
IXYS

IXBT42N300HV

osa: 1938

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 104A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A, Teho - maks: 500W,

Toivelistaan
IXYH16N170CV1
IXYS

IXYH16N170CV1

osa: 5834

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 16A, Teho - maks: 310W,

Toivelistaan
IXDH20N120D1
IXYS

IXDH20N120D1

osa: 9600

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 38A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXYP10N65C3D1M
IXYS

IXYP10N65C3D1M

osa: 191

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 10A, Teho - maks: 53W,

Toivelistaan
IXDP35N60B
IXYS

IXDP35N60B

osa: 12924

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 70A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 35A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXGA28N60A3
IXYS

IXGA28N60A3

osa: 250

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 170A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 24A, Teho - maks: 190W,

Toivelistaan
IXBH10N300HV
IXYS

IXBH10N300HV

osa: 1518

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 34A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 88A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A, Teho - maks: 180W,

Toivelistaan
IXYJ20N120C3D1
IXYS

IXYJ20N120C3D1

osa: 5766

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 21A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 84A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A, Teho - maks: 105W,

Toivelistaan
IXYA50N65C3
IXYS

IXYA50N65C3

osa: 10441

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 250A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A, Teho - maks: 600W,

Toivelistaan
IXA37IF1200HJ
IXYS

IXA37IF1200HJ

osa: 7409

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 58A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, Teho - maks: 195W,

Toivelistaan
IKB15N65EH5ATMA1
Infineon Technologies

IKB15N65EH5ATMA1

osa: 387

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Teho - maks: 105W,

Toivelistaan
IRG4PSC71KDPBF
Infineon Technologies

IRG4PSC71KDPBF

osa: 4036

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Teho - maks: 350W,

Toivelistaan
IRGP20B60PDPBF
Infineon Technologies

IRGP20B60PDPBF

osa: 17190

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Teho - maks: 220W,

Toivelistaan
IKW40N65H5FKSA1
Infineon Technologies

IKW40N65H5FKSA1

osa: 17196

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 74A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 255W,

Toivelistaan
IRGP4650D-EPBF
Infineon Technologies

IRGP4650D-EPBF

osa: 9699

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 76A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 105A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 35A, Teho - maks: 268W,

Toivelistaan
IRG4PC40WPBF
Infineon Technologies

IRG4PC40WPBF

osa: 15610

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IGW50N65H5FKSA1
Infineon Technologies

IGW50N65H5FKSA1

osa: 19332

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Teho - maks: 305W,

Toivelistaan
IKFW50N60DH3EXKSA1
Infineon Technologies

IKFW50N60DH3EXKSA1

osa: 1862

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Teho - maks: 130W,

Toivelistaan
IRGP4640D-EPBF
Infineon Technologies

IRGP4640D-EPBF

osa: 11560

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 65A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 72A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
STGB30M65DF2
STMicroelectronics

STGB30M65DF2

osa: 34846

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 258W,

Toivelistaan
STGW45HF60WD
STMicroelectronics

STGW45HF60WD

osa: 16726

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
STGWT40V60DLF
STMicroelectronics

STGWT40V60DLF

osa: 17084

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Teho - maks: 283W,

Toivelistaan
STGW60H65FB
STMicroelectronics

STGW60H65FB

osa: 10748

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
SGS10N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGS10N60RUFDTU

osa: 30705

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A, Teho - maks: 55W,

Toivelistaan
FGAF40N60SMD
ON Semiconductor

FGAF40N60SMD

osa: 15222

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Teho - maks: 115W,

Toivelistaan
FGH40N60SMD
ON Semiconductor

FGH40N60SMD

osa: 22404

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 349W,

Toivelistaan
FGH25T120SMD-F155
ON Semiconductor

FGH25T120SMD-F155

osa: 1603

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Teho - maks: 428W,

Toivelistaan
HGTG30N60C3D
ON Semiconductor

HGTG30N60C3D

osa: 10243

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 63A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 252A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Teho - maks: 208W,

Toivelistaan