Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

HGTP12N60A4D
ON Semiconductor

HGTP12N60A4D

osa: 43378

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 54A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
FGP15N60UNDF
ON Semiconductor

FGP15N60UNDF

osa: 27550

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A, Teho - maks: 178W,

Toivelistaan
NGTB30N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB30N120FL2WG

osa: 9534

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Teho - maks: 452W,

Toivelistaan
FGH40N60SFTU
ON Semiconductor

FGH40N60SFTU

osa: 16170

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Teho - maks: 290W,

Toivelistaan
ISL9V3040S3ST
ON Semiconductor

ISL9V3040S3ST

osa: 58672

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 21A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
FGA40N65SMD
ON Semiconductor

FGA40N65SMD

osa: 32540

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 349W,

Toivelistaan
FGH50N6S2D
ON Semiconductor

FGH50N6S2D

osa: 8377

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 463W,

Toivelistaan
IGW40N60TPXKSA1
Infineon Technologies

IGW40N60TPXKSA1

osa: 18825

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 67A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Teho - maks: 246W,

Toivelistaan
IKA15N65H5XKSA1
Infineon Technologies

IKA15N65H5XKSA1

osa: 29113

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Teho - maks: 33.3W,

Toivelistaan
IRG4PH30KDPBF
Infineon Technologies

IRG4PH30KDPBF

osa: 12350

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 10A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IKP08N65F5XKSA1
Infineon Technologies

IKP08N65F5XKSA1

osa: 36847

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 18A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 24A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Teho - maks: 70W,

Toivelistaan
IHW20N135R5XKSA1
Infineon Technologies

IHW20N135R5XKSA1

osa: 19004

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1350V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A, Teho - maks: 288W,

Toivelistaan
IKW50N65WR5XKSA1
Infineon Technologies

IKW50N65WR5XKSA1

osa: 15483

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Teho - maks: 282W,

Toivelistaan
IRGP30B60KD-EP
Infineon Technologies

IRGP30B60KD-EP

osa: 11437

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A, Teho - maks: 304W,

Toivelistaan
IRG4PH40UPBF
Infineon Technologies

IRG4PH40UPBF

osa: 14101

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 41A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 82A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 21A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IRG4PC30KDPBF
Infineon Technologies

IRG4PC30KDPBF

osa: 18180

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 58A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXDH30N120D1
IXYS

IXDH30N120D1

osa: 6624

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 76A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXBF10N300C
IXYS

IXBF10N300C

osa: 1507

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 29A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A, Teho - maks: 240W,

Toivelistaan
IXGH60N60C3
IXYS

IXGH60N60C3

osa: 13309

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 360A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 380W,

Toivelistaan
IXYK200N65B3
IXYS

IXYK200N65B3

osa: 191

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 410A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 1100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A, Teho - maks: 1560W,

Toivelistaan
IXXH80N65B4
IXYS

IXXH80N65B4

osa: 10373

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 430A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Teho - maks: 625W,

Toivelistaan
IXYR50N120C3D1
IXYS

IXYR50N120C3D1

osa: 6658

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 56A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 210A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A, Teho - maks: 290W,

Toivelistaan
IXYH30N450HV
IXYS

IXYH30N450HV

osa: 2495

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 30A, Teho - maks: 430W,

Toivelistaan
IXYP30N120C3
IXYS

IXYP30N120C3

osa: 13060

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 145A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 30A, Teho - maks: 500W,

Toivelistaan
IXBT24N170
IXYS

IXBT24N170

osa: 3587

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 230A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXYH20N120C3D1
IXYS

IXYH20N120C3D1

osa: 6459

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 36A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 88A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A, Teho - maks: 230W,

Toivelistaan
IXYA20N65B3
IXYS

IXYA20N65B3

osa: 224

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 58A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 108A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Teho - maks: 230W,

Toivelistaan
IXA20I1200PB
IXYS

IXA20I1200PB

osa: 16892

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 38A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Teho - maks: 165W,

Toivelistaan
RGW00TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGW00TS65DGC11

osa: 2662

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 96A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Teho - maks: 254W,

Toivelistaan
RGW80TK65DGVC11
Rohm Semiconductor

RGW80TK65DGVC11

osa: 2907

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 39A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Teho - maks: 81W,

Toivelistaan
STGF30M65DF2
STMicroelectronics

STGF30M65DF2

osa: 50639

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
STGWT20V60F
STMicroelectronics

STGWT20V60F

osa: 24198

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
STGWT40H60DLFB
STMicroelectronics

STGWT40H60DLFB

osa: 17268

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 283W,

Toivelistaan
STGWA50M65DF2
STMicroelectronics

STGWA50M65DF2

osa: 17777

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
STGWT30HP65FB
STMicroelectronics

STGWT30HP65FB

osa: 34534

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 260W,

Toivelistaan
NGD18N45CLBT4G
Littelfuse Inc.

NGD18N45CLBT4G

osa: 110717

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 18A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4.5V, 7A, Teho - maks: 115W,

Toivelistaan