Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

STGW75M65DF2
STMicroelectronics

STGW75M65DF2

osa: 12674

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 468W,

Toivelistaan
STGW30V60DF
STMicroelectronics

STGW30V60DF

osa: 21773

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Teho - maks: 258W,

Toivelistaan
STGWA40H65FB
STMicroelectronics

STGWA40H65FB

osa: 262

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 283W,

Toivelistaan
STGWA15H120F2
STMicroelectronics

STGWA15H120F2

osa: 10623

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A, Teho - maks: 259W,

Toivelistaan
STGB7H60DF
STMicroelectronics

STGB7H60DF

osa: 87528

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 28A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A, Teho - maks: 88W,

Toivelistaan
STGWT60H65DFB
STMicroelectronics

STGWT60H65DFB

osa: 13243

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
STGWA25M120DF3
STMicroelectronics

STGWA25M120DF3

osa: 7408

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
STGF20M65DF2
STMicroelectronics

STGF20M65DF2

osa: 28138

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 32.6W,

Toivelistaan
STGW30M65DF2
STMicroelectronics

STGW30M65DF2

osa: 19531

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 258W,

Toivelistaan
STGW20NC60V
STMicroelectronics

STGW20NC60V

osa: 14018

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
STGY50NC60WD
STMicroelectronics

STGY50NC60WD

osa: 5326

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 110A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Teho - maks: 278W,

Toivelistaan
IXYH24N170CV1
IXYS

IXYH24N170CV1

osa: 5397

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 58A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 140A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 24A, Teho - maks: 500W,

Toivelistaan
IXYH50N120C3D1
IXYS

IXYH50N120C3D1

osa: 8464

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 210A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A, Teho - maks: 625W,

Toivelistaan
IXYH40N120B3
IXYS

IXYH40N120B3

osa: 7113

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 96A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Teho - maks: 577W,

Toivelistaan
IXGT32N120A3
IXYS

IXGT32N120A3

osa: 8410

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 230A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 32A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXYX200N65B3
IXYS

IXYX200N65B3

osa: 175

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 410A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 1100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A, Teho - maks: 1560W,

Toivelistaan
IXGA48N60B3
IXYS

IXGA48N60B3

osa: 14979

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 280A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXBF12N300
IXYS

IXBF12N300

osa: 1754

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 26A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 98A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
IXGX120N60B3
IXYS

IXGX120N60B3

osa: 5537

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 280A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 600A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A, Teho - maks: 780W,

Toivelistaan
IXXH40N65B4D1
IXYS

IXXH40N65B4D1

osa: 165

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 115A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 455W,

Toivelistaan
IXBH24N170
IXYS

IXBH24N170

osa: 3700

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 230A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
RJH1CV6DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJH1CV6DPK-00#T0

osa: 11503

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A, Teho - maks: 290W,

Toivelistaan
FGM623S
Sanken

FGM623S

osa: 25108

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRG4PH20KDPBF
Infineon Technologies

IRG4PH20KDPBF

osa: 15331

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 11A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 22A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRGP4068D-EPBF
Infineon Technologies

IRGP4068D-EPBF

osa: 10565

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 96A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 144A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.14V @ 15V, 48A, Teho - maks: 330W,

Toivelistaan
IKA10N60TXKSA1
Infineon Technologies

IKA10N60TXKSA1

osa: 32584

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 11.7A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A, Teho - maks: 30W,

Toivelistaan
IKP15N65H5XKSA1
Infineon Technologies

IKP15N65H5XKSA1

osa: 29158

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Teho - maks: 105W,

Toivelistaan
IKW25T120FKSA1
Infineon Technologies

IKW25T120FKSA1

osa: 10463

IGBT-tyyppi: NPT, Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 75A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Teho - maks: 190W,

Toivelistaan
IRG4BC30FDPBF
Infineon Technologies

IRG4BC30FDPBF

osa: 22759

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 31A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 124A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
FGH30S150P
ON Semiconductor

FGH30S150P

osa: 11394

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Teho - maks: 500W,

Toivelistaan
FGA60N60UFDTU
ON Semiconductor

FGA60N60UFDTU

osa: 16438

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A, Teho - maks: 298W,

Toivelistaan
NGTB30N135IHR1WG
ON Semiconductor

NGTB30N135IHR1WG

osa: 14704

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1350V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A, Teho - maks: 394W,

Toivelistaan
ISL9V2040S3ST
ON Semiconductor

ISL9V2040S3ST

osa: 63148

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A, Teho - maks: 130W,

Toivelistaan
FGH30T65UPDT-F155
ON Semiconductor

FGH30T65UPDT-F155

osa: 2946

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
FGH40N65UFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH40N65UFDTU-F085

osa: 2948

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 290W,

Toivelistaan
RGT40TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGT40TS65DGC11

osa: 25308

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Teho - maks: 144W,

Toivelistaan