Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IXGH48N60A3D1
IXYS

IXGH48N60A3D1

osa: 11559

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXXA30N65C3HV
IXYS

IXXA30N65C3HV

osa: 232

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 52A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 113A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 24A, Teho - maks: 230W,

Toivelistaan
IXXA50N60B3
IXYS

IXXA50N60B3

osa: 174

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A, Teho - maks: 600W,

Toivelistaan
IXBH42N170
IXYS

IXBH42N170

osa: 3248

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A, Teho - maks: 360W,

Toivelistaan
IXGX120N60A3
IXYS

IXGX120N60A3

osa: 5559

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 600A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A, Teho - maks: 780W,

Toivelistaan
IXYH8N250CV1HV
IXYS

IXYH8N250CV1HV

osa: 4135

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 29A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 70A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A, Teho - maks: 280W,

Toivelistaan
IXGT32N170 TRL
IXYS

IXGT32N170 TRL

osa: 2627

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A, Teho - maks: 350W,

Toivelistaan
IXA17IF1200HJ
IXYS

IXA17IF1200HJ

osa: 10804

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXGH48N60B3D1
IXYS

IXGH48N60B3D1

osa: 11495

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 280A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXXK100N60C3H1
IXYS

IXXK100N60C3H1

osa: 3320

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 170A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 340A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A, Teho - maks: 695W,

Toivelistaan
IXGK75N250
IXYS

IXGK75N250

osa: 850

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 170A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 530A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A, Teho - maks: 780W,

Toivelistaan
IXGP24N120C3
IXYS

IXGP24N120C3

osa: 14251

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 48A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXYH30N170C
IXYS

IXYH30N170C

osa: 5010

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 108A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 255A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 937W,

Toivelistaan
RGTV60TK65DGVC11
Rohm Semiconductor

RGTV60TK65DGVC11

osa: 2908

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 33A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Teho - maks: 76W,

Toivelistaan
RGTV60TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGTV60TS65GC11

osa: 2780

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Teho - maks: 194W,

Toivelistaan
RGTH40TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGTH40TS65GC11

osa: 30024

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Teho - maks: 144W,

Toivelistaan
IKW50N60TFKSA1
Infineon Technologies

IKW50N60TFKSA1

osa: 2550

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Teho - maks: 333W,

Toivelistaan
IHW50N65R5XKSA1
Infineon Technologies

IHW50N65R5XKSA1

osa: 15500

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Teho - maks: 282W,

Toivelistaan
IKA08N65F5XKSA1
Infineon Technologies

IKA08N65F5XKSA1

osa: 36809

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10.8A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 24A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Teho - maks: 31.2W,

Toivelistaan
IGW100N60H3FKSA1
Infineon Technologies

IGW100N60H3FKSA1

osa: 13170

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 140A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A, Teho - maks: 714W,

Toivelistaan
STGP20H60DF
STMicroelectronics

STGP20H60DF

osa: 49626

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
STGW28IH125DF
STMicroelectronics

STGW28IH125DF

osa: 15137

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1250V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
STGP15M65DF2
STMicroelectronics

STGP15M65DF2

osa: 31166

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Teho - maks: 136W,

Toivelistaan
STGFW20V60DF
STMicroelectronics

STGFW20V60DF

osa: 21952

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 52W,

Toivelistaan
STGFW40V60F
STMicroelectronics

STGFW40V60F

osa: 14237

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Teho - maks: 62.5W,

Toivelistaan
STGF35HF60W
STMicroelectronics

STGF35HF60W

osa: 26069

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 19A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 40W,

Toivelistaan
STGB10M65DF2
STMicroelectronics

STGB10M65DF2

osa: 47457

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Teho - maks: 115W,

Toivelistaan
STGYA120M65DF2AG
STMicroelectronics

STGYA120M65DF2AG

osa: 258

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 360A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 120A, Teho - maks: 625W,

Toivelistaan
STGW20V60DF
STMicroelectronics

STGW20V60DF

osa: 23968

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
FGA50N100BNTD2
ON Semiconductor

FGA50N100BNTD2

osa: 8702

IGBT-tyyppi: NPT and Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Teho - maks: 156W,

Toivelistaan
FGB3236-F085
ON Semiconductor

FGB3236-F085

osa: 349

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 360V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 44A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 4V, 6A, Teho - maks: 187W,

Toivelistaan
FGAF40N60UFDTU
ON Semiconductor

FGAF40N60UFDTU

osa: 19234

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
NGTB50N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB50N60L2WG

osa: 9959

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Teho - maks: 500W,

Toivelistaan
FGB3245G2-F085
ON Semiconductor

FGB3245G2-F085

osa: 305

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
NGTD20T120F2WP
ON Semiconductor

NGTD20T120F2WP

osa: 31770

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A,

Toivelistaan
NGTG12N60TF1G
ON Semiconductor

NGTG12N60TF1G

osa: 49912

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 88A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 12A, Teho - maks: 54W,

Toivelistaan