Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IXGH6N170A
IXYS

IXGH6N170A

osa: 6372

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 14A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 15V, 3A, Teho - maks: 75W,

Toivelistaan
IXXH60N65C4
IXYS

IXXH60N65C4

osa: 12936

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 118A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 60A, Teho - maks: 455W,

Toivelistaan
IXYH40N65C3D1
IXYS

IXYH40N65C3D1

osa: 13007

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXYH75N65C3
IXYS

IXYH75N65C3

osa: 11666

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 170A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 360A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Teho - maks: 750W,

Toivelistaan
IXXH50N60C3D1
IXYS

IXXH50N60C3D1

osa: 6304

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 36A, Teho - maks: 600W,

Toivelistaan
IXGN200N170
IXYS

IXGN200N170

osa: 214

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 280A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 1050A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A, Teho - maks: 1250W,

Toivelistaan
IXYT25N250CHV
IXYS

IXYT25N250CHV

osa: 2685

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 95A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 235A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A, Teho - maks: 937W,

Toivelistaan
IXBF20N300
IXYS

IXBF20N300

osa: 1744

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 34A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXBA14N300HV
IXYS

IXBA14N300HV

osa: 1777

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 38A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXYH75N65C3H1
IXYS

IXYH75N65C3H1

osa: 5604

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 170A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 360A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Teho - maks: 750W,

Toivelistaan
IXGH36N60B3D4
IXYS

IXGH36N60B3D4

osa: 12892

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXGA24N120C3
IXYS

IXGA24N120C3

osa: 13803

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 48A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXGF25N250
IXYS

IXGF25N250

osa: 1634

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 5.2V @ 15V, 75A, Teho - maks: 114W,

Toivelistaan
IXYT30N450HV
IXYS

IXYT30N450HV

osa: 209

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 30A, Teho - maks: 430W,

Toivelistaan
STGWA20M65DF2
STMicroelectronics

STGWA20M65DF2

osa: 42080

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 166W,

Toivelistaan
STGB20V60DF
STMicroelectronics

STGB20V60DF

osa: 42990

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
STGWA35HF60WDI
STMicroelectronics

STGWA35HF60WDI

osa: 13208

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 260W,

Toivelistaan
STGB4M65DF2
STMicroelectronics

STGB4M65DF2

osa: 143059

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 16A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Teho - maks: 68W,

Toivelistaan
STGW35HF60W
STMicroelectronics

STGW35HF60W

osa: 23407

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
STGF7H60DF
STMicroelectronics

STGF7H60DF

osa: 41890

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 28A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A, Teho - maks: 24W,

Toivelistaan
FGA40T65SHD
ON Semiconductor

FGA40T65SHD

osa: 23321

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 268W,

Toivelistaan
FGH60N60UFDTU
ON Semiconductor

FGH60N60UFDTU

osa: 11490

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A, Teho - maks: 298W,

Toivelistaan
NGTB15N60S1EG
ON Semiconductor

NGTB15N60S1EG

osa: 47036

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A, Teho - maks: 117W,

Toivelistaan
FGY160T65SPD-F085
ON Semiconductor

FGY160T65SPD-F085

osa: 4819

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 240A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 480A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A, Teho - maks: 882W,

Toivelistaan
NGB8206ANT4G
Littelfuse Inc.

NGB8206ANT4G

osa: 88299

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 390V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IRG4BC30KDPBF
Infineon Technologies

IRG4BC30KDPBF

osa: 23033

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 56A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IGW40N65F5FKSA1
Infineon Technologies

IGW40N65F5FKSA1

osa: 20865

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 74A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 255W,

Toivelistaan
IRGC4067B
Infineon Technologies

IRGC4067B

osa: 4500

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 120A,

Toivelistaan
IRGIB6B60KDPBF
Infineon Technologies

IRGIB6B60KDPBF

osa: 24579

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 11A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 22A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
IKA06N60TXKSA1
Infineon Technologies

IKA06N60TXKSA1

osa: 74240

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A, Teho - maks: 28W,

Toivelistaan
IKQ40N120CH3XKSA1
Infineon Technologies

IKQ40N120CH3XKSA1

osa: 11100

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A, Teho - maks: 500W,

Toivelistaan
IHW30N110R3FKSA1
Infineon Technologies

IHW30N110R3FKSA1

osa: 15615

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1100V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A, Teho - maks: 333W,

Toivelistaan
IRGP4660D-EPBF
Infineon Technologies

IRGP4660D-EPBF

osa: 8173

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 144A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 48A, Teho - maks: 330W,

Toivelistaan
RJP60F5DPK-01#T0
Renesas Electronics America

RJP60F5DPK-01#T0

osa: 18037

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Teho - maks: 260.4W,

Toivelistaan
RGTVX6TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGTVX6TS65GC11

osa: 2967

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 144A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 320A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A, Teho - maks: 404W,

Toivelistaan
RGTH50TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTH50TS65DGC11

osa: 20954

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Teho - maks: 174W,

Toivelistaan