Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

HGTG12N60A4D
ON Semiconductor

HGTG12N60A4D

osa: 27784

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 54A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
NGTB40N120FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB40N120FL2WAG

osa: 18131

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 536W,

Toivelistaan
FGL60N100BNTD
ON Semiconductor

FGL60N100BNTD

osa: 11528

IGBT-tyyppi: NPT and Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Teho - maks: 180W,

Toivelistaan
FGA6540WDF
ON Semiconductor

FGA6540WDF

osa: 25417

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Teho - maks: 238W,

Toivelistaan
NGTB40N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB40N120IHRWG

osa: 14109

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 40A, Teho - maks: 384W,

Toivelistaan
HGTG5N120BND
ON Semiconductor

HGTG5N120BND

osa: 23888

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 21A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
FGH50N3
ON Semiconductor

FGH50N3

osa: 11903

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Teho - maks: 463W,

Toivelistaan
FGP10N60UNDF
ON Semiconductor

FGP10N60UNDF

osa: 36448

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A, Teho - maks: 139W,

Toivelistaan
NGTB35N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB35N65FL2WG

osa: 33687

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
FGAF40N60UFTU
ON Semiconductor

FGAF40N60UFTU

osa: 35991

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXDH30N120
IXYS

IXDH30N120

osa: 7675

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 76A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGH36N60A3
IXYS

IXGH36N60A3

osa: 18818

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Teho - maks: 220W,

Toivelistaan
IXYH24N170C
IXYS

IXYH24N170C

osa: 5981

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 58A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 145A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 20A, Teho - maks: 500W,

Toivelistaan
IXXH30N65B4D1
IXYS

IXXH30N65B4D1

osa: 184

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 146A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Teho - maks: 230W,

Toivelistaan
IXYH40N65C3
IXYS

IXYH40N65C3

osa: 12531

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXXX160N65B4
IXYS

IXXX160N65B4

osa: 4909

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 310A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 860A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 160A, Teho - maks: 940W,

Toivelistaan
IXGP36N60A3
IXYS

IXGP36N60A3

osa: 201

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Teho - maks: 220W,

Toivelistaan
IXGK400N30C3
IXYS

IXGK400N30C3

osa: 4487

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A,

Toivelistaan
IXBT42N170A
IXYS

IXBT42N170A

osa: 3768

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 42A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 265A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A, Teho - maks: 357W,

Toivelistaan
IXYP15N65C3D1M
IXYS

IXYP15N65C3D1M

osa: 26987

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Teho - maks: 48W,

Toivelistaan
IXGH36N60A3D4
IXYS

IXGH36N60A3D4

osa: 18931

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Teho - maks: 220W,

Toivelistaan
IXGR60N60C3C1
IXYS

IXGR60N60C3C1

osa: 2682

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 260A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 170W,

Toivelistaan
IXYH20N65C3
IXYS

IXYH20N65C3

osa: 25576

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 105A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 230W,

Toivelistaan
IXA12IF1200PB
IXYS

IXA12IF1200PB

osa: 17941

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A, Teho - maks: 85W,

Toivelistaan
IKZ50N65NH5XKSA1
Infineon Technologies

IKZ50N65NH5XKSA1

osa: 12700

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Teho - maks: 273W,

Toivelistaan
IRG7PH46UD-EP
Infineon Technologies

IRG7PH46UD-EP

osa: 6527

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 390W,

Toivelistaan
IRG4BC20UDPBF
Infineon Technologies

IRG4BC20UDPBF

osa: 28358

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 52A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IGZ50N65H5XKSA1
Infineon Technologies

IGZ50N65H5XKSA1

osa: 24904

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Teho - maks: 273W,

Toivelistaan
STGFW80V60F
STMicroelectronics

STGFW80V60F

osa: 10450

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A, Teho - maks: 79W,

Toivelistaan
STGW40NC60V
STMicroelectronics

STGW40NC60V

osa: 8878

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 260W,

Toivelistaan
STGWA80H65FB
STMicroelectronics

STGWA80H65FB

osa: 8569

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Teho - maks: 469W,

Toivelistaan
STGW30H65FB
STMicroelectronics

STGW30H65FB

osa: 21412

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 260W,

Toivelistaan
STGP3NC120HD
STMicroelectronics

STGP3NC120HD

osa: 42852

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A, Teho - maks: 75W,

Toivelistaan
STGWT40HP65FB
STMicroelectronics

STGWT40HP65FB

osa: 27896

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 283W,

Toivelistaan
STGW40M120DF3
STMicroelectronics

STGW40M120DF3

osa: 6541

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Teho - maks: 468W,

Toivelistaan
RJH60M1DPP-M0#T2
Renesas Electronics America

RJH60M1DPP-M0#T2

osa: 26634

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 8A, Teho - maks: 30W,

Toivelistaan