Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IXGF25N300
IXYS

IXGF25N300

osa: 1850

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 27A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 140A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 5.5V @ 15V, 75A, Teho - maks: 114W,

Toivelistaan
IXYX100N65B3D1
IXYS

IXYX100N65B3D1

osa: 4863

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 225A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 460A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A, Teho - maks: 830W,

Toivelistaan
IXYX50N170C
IXYS

IXYX50N170C

osa: 3948

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 178A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 460A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Teho - maks: 1500W,

Toivelistaan
IXGP20N120A3
IXYS

IXGP20N120A3

osa: 13793

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 180W,

Toivelistaan
IXGH48N60C3C1
IXYS

IXGH48N60C3C1

osa: 1566

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 250A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGF36N300
IXYS

IXGF36N300

osa: 1523

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 36A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 5.2V @ 15V, 100A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IXGK320N60A3
IXYS

IXGK320N60A3

osa: 4463

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 320A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 700A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A, Teho - maks: 1000W,

Toivelistaan
IXGH30N60C3C1
IXYS

IXGH30N60C3C1

osa: 2839

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Teho - maks: 220W,

Toivelistaan
IXYX30N170CV1
IXYS

IXYX30N170CV1

osa: 3485

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 108A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 255A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 937W,

Toivelistaan
IXBK75N170
IXYS

IXBK75N170

osa: 1421

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 580A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 1040W,

Toivelistaan
IXGH48N60B3
IXYS

IXGH48N60B3

osa: 15024

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 280A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
STGW80H65DFB-4
STMicroelectronics

STGW80H65DFB-4

osa: 8324

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Teho - maks: 469W,

Toivelistaan
STGW40NC60W
STMicroelectronics

STGW40NC60W

osa: 11402

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 230A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
STGB20M65DF2
STMicroelectronics

STGB20M65DF2

osa: 56662

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 166W,

Toivelistaan
STGP19NC60H
STMicroelectronics

STGP19NC60H

osa: 12876

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Teho - maks: 130W,

Toivelistaan
STGWA40N120KD
STMicroelectronics

STGWA40N120KD

osa: 8919

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 30A, Teho - maks: 240W,

Toivelistaan
STGW50HF60SD
STMicroelectronics

STGW50HF60SD

osa: 10889

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 110A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 130A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A, Teho - maks: 284W,

Toivelistaan
STGW15H120F2
STMicroelectronics

STGW15H120F2

osa: 11770

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A, Teho - maks: 259W,

Toivelistaan
STGF15H60DF
STMicroelectronics

STGF15H60DF

osa: 31930

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Teho - maks: 30W,

Toivelistaan
NGTB40N65IHRTG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHRTG

osa: 867

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Teho - maks: 405W,

Toivelistaan
NGTB25N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB25N120FL2WG

osa: 18823

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Teho - maks: 385W,

Toivelistaan
FGA30N60LSDTU
ON Semiconductor

FGA30N60LSDTU

osa: 19793

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Teho - maks: 480W,

Toivelistaan
NGTD21T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD21T65F2SWK

osa: 28232

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 45A,

Toivelistaan
NGTD14T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD14T65F2WP

osa: 44197

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A,

Toivelistaan
FGB3040G2-F085
ON Semiconductor

FGB3040G2-F085

osa: 292

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 41A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
FGH75T65SHDT-F155
ON Semiconductor

FGH75T65SHDT-F155

osa: 1512

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 455W,

Toivelistaan
FGA4060ADF
ON Semiconductor

FGA4060ADF

osa: 25775

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Teho - maks: 238W,

Toivelistaan
NGTB60N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB60N65FL2WG

osa: 6189

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Teho - maks: 595W,

Toivelistaan
IGB30N60TATMA1
Infineon Technologies

IGB30N60TATMA1

osa: 48160

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A, Teho - maks: 187W,

Toivelistaan
IKQ50N120CT2XKSA1
Infineon Technologies

IKQ50N120CT2XKSA1

osa: 8425

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A, Teho - maks: 652W,

Toivelistaan
IGW08T120FKSA1
Infineon Technologies

IGW08T120FKSA1

osa: 39270

IGBT-tyyppi: NPT, Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 24A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A, Teho - maks: 70W,

Toivelistaan
IRGS30B60KTRRP
Infineon Technologies

IRGS30B60KTRRP

osa: 32030

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 78A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A, Teho - maks: 370W,

Toivelistaan
IKB20N60H3ATMA1
Infineon Technologies

IKB20N60H3ATMA1

osa: 48636

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Teho - maks: 170W,

Toivelistaan
IHW20N120R3FKSA1
Infineon Technologies

IHW20N120R3FKSA1

osa: 19197

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Teho - maks: 310W,

Toivelistaan
IKW75N60H3FKSA1
Infineon Technologies

IKW75N60H3FKSA1

osa: 9369

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Teho - maks: 428W,

Toivelistaan
RJH1CV7DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJH1CV7DPK-00#T0

osa: 10155

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 35A, Teho - maks: 320W,

Toivelistaan