Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IXXH100N60C3
IXYS

IXXH100N60C3

osa: 6207

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 190A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 380A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A, Teho - maks: 830W,

Toivelistaan
IXGX320N60B3
IXYS

IXGX320N60B3

osa: 4411

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 1200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A, Teho - maks: 1700W,

Toivelistaan
IXYP20N65C3D1
IXYS

IXYP20N65C3D1

osa: 27748

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 105A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXBK55N300
IXYS

IXBK55N300

osa: 971

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 600A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A, Teho - maks: 625W,

Toivelistaan
IXGH30N60C3D1
IXYS

IXGH30N60C3D1

osa: 12434

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Teho - maks: 220W,

Toivelistaan
MMIX1X340N65B4
IXYS

MMIX1X340N65B4

osa: 254

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 1200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A, Teho - maks: 1200W,

Toivelistaan
IXGT25N160
IXYS

IXGT25N160

osa: 6446

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 20V, 100A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGR6N170A
IXYS

IXGR6N170A

osa: 5274

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5.5A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 15V, 3A, Teho - maks: 50W,

Toivelistaan
IXGF20N300
IXYS

IXGF20N300

osa: 2033

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 22A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 103A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXGT10N170
IXYS

IXGT10N170

osa: 11276

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 70A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A, Teho - maks: 110W,

Toivelistaan
IXYH75N120B4
IXYS

IXYH75N120B4

osa: 171

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 240A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 440A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A, Teho - maks: 1150W,

Toivelistaan
IXYH25N250CHV
IXYS

IXYH25N250CHV

osa: 2797

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 95A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 235A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A, Teho - maks: 937W,

Toivelistaan
FGH40N120ANTU
ON Semiconductor

FGH40N120ANTU

osa: 13888

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 64A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 417W,

Toivelistaan
NGTB20N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB20N120IHRWG

osa: 15535

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A, Teho - maks: 384W,

Toivelistaan
FGY75N60SMD
ON Semiconductor

FGY75N60SMD

osa: 11749

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A, Teho - maks: 750W,

Toivelistaan
NGTD17T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD17T65F2SWK

osa: 36619

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A,

Toivelistaan
FGB20N60SF
ON Semiconductor

FGB20N60SF

osa: 45142

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Teho - maks: 208W,

Toivelistaan
IRG4PF50WDPBF
Infineon Technologies

IRG4PF50WDPBF

osa: 7485

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 51A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 204A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IKD10N60RFATMA1
Infineon Technologies

IKD10N60RFATMA1

osa: 92594

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IGZ75N65H5XKSA1
Infineon Technologies

IGZ75N65H5XKSA1

osa: 19008

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 119A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 395W,

Toivelistaan
IGW15T120FKSA1
Infineon Technologies

IGW15T120FKSA1

osa: 22774

IGBT-tyyppi: NPT, Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Teho - maks: 110W,

Toivelistaan
IHW20N135R3FKSA1
Infineon Technologies

IHW20N135R3FKSA1

osa: 15786

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1350V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A, Teho - maks: 310W,

Toivelistaan
IRGP4266DPBF
Infineon Technologies

IRGP4266DPBF

osa: 6085

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 140A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 455W,

Toivelistaan
IKA08N65ET6XKSA1
Infineon Technologies

IKA08N65ET6XKSA1

osa: 3022

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 11A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 25A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A, Teho - maks: 33W,

Toivelistaan
IRG4PSC71UDPBF
Infineon Technologies

IRG4PSC71UDPBF

osa: 5983

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Teho - maks: 350W,

Toivelistaan
STGB30H60DLFB
STMicroelectronics

STGB30H60DLFB

osa: 49840

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 260W,

Toivelistaan
STGP30V60F
STMicroelectronics

STGP30V60F

osa: 26375

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Teho - maks: 260W,

Toivelistaan
STGP20V60F
STMicroelectronics

STGP20V60F

osa: 33844

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
STGF20H60DF
STMicroelectronics

STGF20H60DF

osa: 22814

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 37W,

Toivelistaan
STGWA25H120F2
STMicroelectronics

STGWA25H120F2

osa: 9503

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
STGP8NC60KD
STMicroelectronics

STGP8NC60KD

osa: 60554

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A, Teho - maks: 65W,

Toivelistaan
STGW40H65DFB
STMicroelectronics

STGW40H65DFB

osa: 18239

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 283W,

Toivelistaan
STGWA15M120DF3
STMicroelectronics

STGWA15M120DF3

osa: 10140

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A, Teho - maks: 259W,

Toivelistaan
STGF10M65DF2
STMicroelectronics

STGF10M65DF2

osa: 69886

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Teho - maks: 30W,

Toivelistaan
RJH60D7BDPQ-E0#T2
Renesas Electronics America

RJH60D7BDPQ-E0#T2

osa: 11505

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
NGD15N41ACLT4G
Littelfuse Inc.

NGD15N41ACLT4G

osa: 124626

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 440V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 4V, 10A, Teho - maks: 107W,

Toivelistaan