Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IXYP50N65C3
IXYS

IXYP50N65C3

osa: 10758

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 250A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A, Teho - maks: 600W,

Toivelistaan
IXGH120N30B3
IXYS

IXGH120N30B3

osa: 12088

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 480A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 120A, Teho - maks: 540W,

Toivelistaan
IXGH48N60A3
IXYS

IXGH48N60A3

osa: 14637

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXYH100N65A3
IXYS

IXYH100N65A3

osa: 196

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 240A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 480A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A, Teho - maks: 470W,

Toivelistaan
IXGF20N250
IXYS

IXGF20N250

osa: 2052

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 105A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 20A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXDH20N120
IXYS

IXDH20N120

osa: 10873

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 38A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGT32N170A
IXYS

IXGT32N170A

osa: 4029

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 32A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 110A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 21A, Teho - maks: 350W,

Toivelistaan
IXGK400N30B3
IXYS

IXGK400N30B3

osa: 4517

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A,

Toivelistaan
IXDH35N60B
IXYS

IXDH35N60B

osa: 11658

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 70A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 35A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXXH50N60B3
IXYS

IXXH50N60B3

osa: 10008

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A, Teho - maks: 600W,

Toivelistaan
IXDR30N120
IXYS

IXDR30N120

osa: 7077

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGH17N100
IXYS

IXGH17N100

osa: 8133

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 34A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 68A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 17A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXBH32N300
IXYS

IXBH32N300

osa: 1748

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 280A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A, Teho - maks: 400W,

Toivelistaan
STGB30V60F
STMicroelectronics

STGB30V60F

osa: 48382

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Teho - maks: 260W,

Toivelistaan
STGP7H60DF
STMicroelectronics

STGP7H60DF

osa: 44131

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 28A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A, Teho - maks: 88W,

Toivelistaan
STGWA15H120DF2
STMicroelectronics

STGWA15H120DF2

osa: 10561

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A, Teho - maks: 259W,

Toivelistaan
STGB20V60F
STMicroelectronics

STGB20V60F

osa: 43379

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
STGW60H65DF
STMicroelectronics

STGW60H65DF

osa: 7827

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A, Teho - maks: 360W,

Toivelistaan
STGWT60H65FB
STMicroelectronics

STGWT60H65FB

osa: 13226

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
STGW40H60DLFB
STMicroelectronics

STGW40H60DLFB

osa: 18265

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 283W,

Toivelistaan
STGF7NC60HD
STMicroelectronics

STGF7NC60HD

osa: 44663

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A, Teho - maks: 25W,

Toivelistaan
FGH60N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH60N60SFDTU

osa: 22935

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Teho - maks: 378W,

Toivelistaan
FGD3325G2-F085
ON Semiconductor

FGD3325G2-F085

osa: 256

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 41A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
NGTB15N60R2FG
ON Semiconductor

NGTB15N60R2FG

osa: 62700

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Teho - maks: 54W,

Toivelistaan
NGTD17T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD17T65F2WP

osa: 37370

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A,

Toivelistaan
NGTB40N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N65FL2WG

osa: 18097

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 366W,

Toivelistaan
FGH60T65SQD-F155
ON Semiconductor

FGH60T65SQD-F155

osa: 2512

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A, Teho - maks: 333W,

Toivelistaan
IKW15N120T2FKSA1
Infineon Technologies

IKW15N120T2FKSA1

osa: 13910

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Teho - maks: 235W,

Toivelistaan
IHW40N60RFFKSA1
Infineon Technologies

IHW40N60RFFKSA1

osa: 2409

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 305W,

Toivelistaan
IKZ75N65ES5XKSA1
Infineon Technologies

IKZ75N65ES5XKSA1

osa: 12787

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A, Teho - maks: 395W,

Toivelistaan
IGW75N65H5XKSA1
Infineon Technologies

IGW75N65H5XKSA1

osa: 14720

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 395W,

Toivelistaan
IKB06N60TATMA1
Infineon Technologies

IKB06N60TATMA1

osa: 76778

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A, Teho - maks: 88W,

Toivelistaan
IKW40N60DTPXKSA1
Infineon Technologies

IKW40N60DTPXKSA1

osa: 16131

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 67A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Teho - maks: 246W,

Toivelistaan
IRGP4650DPBF
Infineon Technologies

IRGP4650DPBF

osa: 10313

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 76A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 105A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 35A, Teho - maks: 268W,

Toivelistaan
NGD8205ANT4G
Littelfuse Inc.

NGD8205ANT4G

osa: 93968

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 390V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
RGTH80TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGTH80TS65GC11

osa: 1596

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 234W,

Toivelistaan