Transistorit - IGBT - Single

IRG8CH37K10F

osa: 11351

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A,

IRGC4060B

osa: 24348

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A,

IGC11T120T8LX1SA1

osa: 162

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 24A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 8A,

IGC27T120T8QX1SA1

osa: 140

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 75A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A,

IRG7CH50K10EF

osa: 9820

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A,

IKP40N65F5XKSA1

osa: 21434

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 74A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 255W,

IRG7CH44K10EF

osa: 11501

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A,

IGC13T120T8LX1SA1

osa: 109

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 8A,

IGC70T120T8RQ

osa: 168

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 75A,

IGC99T120T8RLX1SA3

osa: 88

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.97V @ 15V, 100A,

IRG4BC40W-LPBF

osa: 20075

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 160W,

IXGH30N120BD1

osa: 6535

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A,

IXGX300N60B3

osa: 4463

IXGH40N120C3

osa: 7139

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.4V @ 15V, 30A, Teho - maks: 380W,

IXGP20N120BD1

osa: 14743

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A, Teho - maks: 190W,

IXBH14N250

osa: 2070

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V,

RJH60F6DPQ-A0#T0

osa: 11494

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 45A, Teho - maks: 297.6W,

RJP6085DPN-00#T2

osa: 20963

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 178.5W,

RJH60F7DPQ-A0#T0

osa: 11629

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A, Teho - maks: 328.9W,

STGW35NC120HD

osa: 7097

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 135A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 20A, Teho - maks: 235W,

STGWA19NC60HD

osa: 25098

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 52A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Teho - maks: 208W,

STGF6NC60HD

osa: 56427

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 21A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A, Teho - maks: 20W,

STGF8NC60KD

osa: 130107

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A, Teho - maks: 24W,

STGW30NC60WD

osa: 16496

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 200W,

STGB20NB41LZT4

osa: 32159

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 442V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A, Teho - maks: 200W,

STGF19NC60KD

osa: 32051

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 75A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A, Teho - maks: 32W,

STGP19NC60SD

osa: 61664

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 12A, Teho - maks: 130W,

RGT8NS65DGTL

osa: 130635

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 12A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Teho - maks: 65W,

RGW00TK65GVC11

osa: 159

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Teho - maks: 89W,

RGTH80TS65DGC11

osa: 18067

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 234W,

RGPR20NS43HRTL

osa: 99

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 460V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Teho - maks: 107W,

GN2470K4-G

osa: 167

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 3.5A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 13V, 3A, Teho - maks: 2.5W,

FGD3N60LSDTM

osa: 144068

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 25A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 10V, 3A, Teho - maks: 40W,

NGTB40N120L3WG

osa: 12509

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 454W,

FGH75N60UFTU

osa: 10416

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A, Teho - maks: 452W,

FGH25N120FTDS

osa: 9325

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 75A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A, Teho - maks: 313W,