Transistorit - IGBT-moduulit

FP15R06W1E3B11BOMA1

osa: 337

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 22A, Teho - maks: 81W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A,

FP20R06W1E3B11BOMA1

osa: 324

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 27A, Teho - maks: 94W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A,

F475R12KS4B11BOSA1

osa: 362

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 75A,

F3L400R07ME4B23BOSA1

osa: 494

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 1150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A,

IRG7T100HF12A

osa: 566

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 575W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

DF150R12RT4HOSA1

osa: 328

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 790W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A,

FP35R12W2T4BOMA1

osa: 337

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 54A, Teho - maks: 215W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

IRG5U75HF12A

osa: 565

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Teho - maks: 540W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 75A,

FF600R17ME4BOSA1

osa: 506

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A,

DF200R12KE3HOSA1

osa: 432

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Teho - maks: 1040W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A,

IRG7T100HF12B

osa: 581

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 680W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

IRG5U50HF12A

osa: 630

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Teho - maks: 390W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 50A,

FS225R17KE4BOSA1

osa: 3107

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 340A, Teho - maks: 1500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A,

FP10R12YT3B4BOMA1

osa: 391

IRG5K75FF06E

osa: 591

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 140A, Teho - maks: 330W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

FF600R06ME3BOSA1

osa: 428

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 700A, Teho - maks: 1650W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

FMG2G400LS60

osa: 419

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1136W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 400A,

FMG1G50US60H

osa: 407

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

FPF2G120BF07ASP

osa: 815

IGBT-tyyppi: Field Stop, Kokoonpano: 3 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 156W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A,

MITB10WB1200TMH

osa: 2155

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Teho - maks: 70W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 10A,

IXGN60N60C2D1

osa: 400

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 480W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A,

VIO100-06P1

osa: 413

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 93A, Teho - maks: 294W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

MWI100-12A8T

osa: 462

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Teho - maks: 640W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A,

IXSN50N60BD3

osa: 521

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A,

IXGE200N60B

osa: 1173

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Teho - maks: 416W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 120A,

CM100TU-12F

osa: 534

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

CM400HU-24F

osa: 387

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 400A,

CM450HA-5F

osa: 570

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 735W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 10V, 450A,

CM100TF-12H

osa: 304

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

CM75DU-24H

osa: 553

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

CM450DX-24S1

osa: 456

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 2775W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 450A,

CM400DU-24F

osa: 209

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 400A,

CM600HX-24A

osa: 560

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 3785W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 600A,

MG300Q2YS60A

osa: 603

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 2800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A,

CM75TX-24S

osa: 590

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

VS-GB75YF120UT

osa: 258

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 480W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 100A,