Transistorit - IGBT-moduulit

VIO25-12P1

osa: 461

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Teho - maks: 130W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 25A,

MIXA20WB1200TMH

osa: 1938

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Teho - maks: 100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 16A,

MIXA30W1200TMH

osa: 1960

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 43A, Teho - maks: 150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

MIXA300PF1200TSF

osa: 568

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 465A, Teho - maks: 1500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

MUBW35-12E7

osa: 3113

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 52A, Teho - maks: 225W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 35A,

IXB200I600NA

osa: 2098

MIEB100W1200TEH

osa: 498

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 183A, Teho - maks: 630W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

IXSN55N120AU1

osa: 581

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 110A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 55A,

MUBW6-06A6

osa: 1694

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Teho - maks: 38W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A,

MIO600-65E11

osa: 84

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 600A,

MG200Q2YS60A

osa: 308

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 2000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 200A,

CM150TX-24S1

osa: 542

Kokoonpano: Three Level Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 935W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A,

CM150DY-24A

osa: 527

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 960W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A,

CM600DY-24S

osa: 337

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 4050W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 600A,

CM450DX-24A

osa: 552

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 2840W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 450A,

CM400HA-24H

osa: 565

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 2800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 400A,

CM20TF-12H

osa: 315

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Teho - maks: 125W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A,

CM150RL-24NF

osa: 533

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 890W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A,

CM100TF-28H

osa: 366

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 780W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 100A,

CM200DU-12H

osa: 505

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 650W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A,

CM200DY-24NF

osa: 387

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 1130W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

FF150R12YT3BOMA1

osa: 364

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 625W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A,

FS15R06XE3BOMA1

osa: 344

Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 22A, Teho - maks: 71.5W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A,

FF1800R12IE5PBPSA1

osa: 626

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1800A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1800A,

FF300R12KE4EHOSA1

osa: 3088

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 460A, Teho - maks: 1600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

FP50R06W2E3B11BOMA1

osa: 397

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 65A, Teho - maks: 175W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

FF450R12ME4B11BPSA1

osa: 432

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 675A, Teho - maks: 2250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A,

F3L300R12MT4PB23BPSA1

osa: 506

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

FS75R12KT3GBOSA1

osa: 410

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 355W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FP50R12KT4BOSA1

osa: 350

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 280W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

DF80R12W2H3FB11BPSA1

osa: 395

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A,

F3L100R07W2E3B11BOMA1

osa: 362

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 117A, Teho - maks: 300W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

IM240M6Z1BALSA1

osa: 376

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Teho - maks: 8.9W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 4A,

F3L300R12MT4B22BOSA1

osa: 503

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 1550W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

MG06400D-BN1MM

osa: 478

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 460A, Teho - maks: 1400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 400A,

VS-GT100TP120N

osa: 605

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 180A, Teho - maks: 652W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A,