Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - sillan tasasuuntaajat

  • Koti
  •  
  • Diodit - sillan tasasuuntaajat
3N250-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N250-E4/72

osa: 2942

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1.57A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
3N248-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N248-E4/72

osa: 8819

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1.57A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
3N247-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N247-E4/72

osa: 8812

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1.57A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista
3N246-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N246-E4/72

osa: 8798

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1.57A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista
3KBP08M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3KBP08M-E4/72

osa: 8740

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
3KBP08M-01E4/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

3KBP08M-01E4/P

osa: 8809

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
3KBP06M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3KBP06M-E4/72

osa: 8798

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
3KBP02M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3KBP02M-E4/72

osa: 8805

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
3KBP01M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3KBP01M-E4/72

osa: 8811

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista
3KBP005M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3KBP005M-E4/72

osa: 8772

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista
3N259-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N259-M4/51

osa: 8799

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
3N257-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N257-M4/51

osa: 8805

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
3N258-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N258-M4/51

osa: 8724

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
3N255-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N255-M4/51

osa: 8786

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
3N256-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N256-M4/51

osa: 8740

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista
3N253-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N253-M4/51

osa: 2893

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista
3N254-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N254-M4/51

osa: 8795

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista
3N252-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N252-E4/51

osa: 8749

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
3N252-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N252-M4/51

osa: 8751

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
3N250-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N250-M4/51

osa: 8747

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
3N251-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N251-M4/51

osa: 8749

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
3N249-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N249-M4/51

osa: 8780

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista
3N247-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N247-M4/51

osa: 8731

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista
3N248-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N248-M4/51

osa: 1555

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
3N246-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N246-M4/51

osa: 8760

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista
3KBP08M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3KBP08M-M4/51

osa: 8733

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
3KBP06M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3KBP06M-M4/51

osa: 8740

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
3KBP04M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3KBP04M-M4/51

osa: 8714

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista
3KBP02M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3KBP02M-M4/51

osa: 8764

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
3KBP01M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3KBP01M-M4/51

osa: 2949

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista
3KBP005M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3KBP005M-M4/51

osa: 8743

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista
3N259-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N259-E4/45

osa: 8658

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
3N253-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N253-E4/72

osa: 8731

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista
3N258-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N258-E4/45

osa: 8642

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
3N257-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N257-E4/45

osa: 8685

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
3KBP04M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3KBP04M-E4/72

osa: 8702

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista