Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - sillan tasasuuntaajat

  • Koti
  •  
  • Diodit - sillan tasasuuntaajat
2KBP06M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06M-M4/51

osa: 8798

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
2KBP04M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M-M4/51

osa: 8747

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista
2KBP005M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M-M4/51

osa: 8740

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista
2KBP10ML-6767E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10ML-6767E4/51

osa: 8731

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
2KBP08M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M-E4/45

osa: 8714

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
2KBP10M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10M-E4/45

osa: 8663

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
2KBP02M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M-M4/51

osa: 8663

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
2KBP06M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06M-E4/45

osa: 2923

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
2KBP02M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M-E4/45

osa: 8636

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
2KBP04M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M-E4/45

osa: 8705

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista
2KBP005M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M-E4/45

osa: 8640

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista
2KBP01M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP01M-E4/45

osa: 8716

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista
2KBP08M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M-E4/51

osa: 98957

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
2KBP10M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10M-E4/51

osa: 98982

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
2KBP06M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06M-E4/51

osa: 98991

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
2KBP04M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M-E4/51

osa: 98999

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista
2KBP02M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M-E4/51

osa: 99024

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
2KBP01M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP01M-E4/51

osa: 98999

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista
2KBP005M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M-E4/51

osa: 98986

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista
2KBP08M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M/1

osa: 8524

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
2KBP10M/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10M/51

osa: 2908

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
2KBP06M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06M/1

osa: 8535

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
2KBP04M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M/1

osa: 8578

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista
2KBP02M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M/1

osa: 8573

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
2KBP005M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M/1

osa: 8520

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista
2W06G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2W06G-E4/51

osa: 112675

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
2W08G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2W08G-E4/51

osa: 112707

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
3N258-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N258-E4/72

osa: 8809

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
3N259-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N259-E4/72

osa: 8835

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
3N257-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N257-E4/72

osa: 8794

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
3N257-5410E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N257-5410E4/51

osa: 8756

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista
3N256-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N256-E4/72

osa: 8836

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista
3N255-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N255-E4/72

osa: 8828

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista
3N254-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N254-E4/72

osa: 8746

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista
3N251-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N251-E4/72

osa: 5319

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1.57A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista
3N249-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N249-E4/72

osa: 8796

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1.57A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista