Transistorit - IGBT-moduulit

FS820R08A6P2BPSA1

osa: 221

FS75R12KT3BOSA1

osa: 345

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 105A, Teho - maks: 355W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FS50R12KT4B15BOSA1

osa: 394

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 280W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

FZ1800R17HP4B9HOSA2

osa: 338

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1800A, Teho - maks: 11500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1800A,

FP75R12N2T4B16BOSA1

osa: 397

FP50R07N2E4BOSA1

osa: 332

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A,

FP150R07N3E4B11BOSA1

osa: 369

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 430W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A,

FZ900R12KF5NOSA1

osa: 803

FZ1200R45HL3BPSA1

osa: 752

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1200A, Teho - maks: 15000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1200A,

FS100R17KS4F

osa: 325

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 960W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 100A,

FZ1600R17KE3NOSA1

osa: 14

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2300A, Teho - maks: 8950W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 600A,

FZ1600R17KF6CB2S2NOSA1

osa: 843

FD300R07PE4B6BOSA1

osa: 219

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 940W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A,

FS150R07N3E4BOSA1

osa: 376

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 430W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A,

FP50R12KT4PBPSA1

osa: 372

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A,

FS400R07A1E3H5BPSA1

osa: 162

FF300R12MS4BOSA1

osa: 276

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 370A, Teho - maks: 1950W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A,

FS300R12OE4PNOSA1

osa: 159

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

FF900R12IP4PBOSA1

osa: 380

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A,

FP75R17N3E4B11BPSA1

osa: 272

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

DF600R12IP4DBOSA1

osa: 343

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 3350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A,

FF150R12MS4GBOSA1

osa: 404

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 225A, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

FP150R12KT4PBPSA1

osa: 70

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

FP150R12KT4BPSA1

osa: 125

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

FF900R12IP4DBOSA2

osa: 351

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 5100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A,

FP100R06KE3BOSA1

osa: 367

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 335W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

FS100R12KE3_B3

osa: 637

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 140A, Teho - maks: 480W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

FP25R12KT4B15BOSA1

osa: 342

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Teho - maks: 160W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A,

FS100R12KT4GPBPSA1

osa: 3105

FS75R12KT4PB11BPSA1

osa: 100

FS150R17PE4BOSA1

osa: 431

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 835W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A,

FZ1000R12KF5NOSA1

osa: 701

FS150R12KE3BOSA1

osa: 283

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 700W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A,

FP50R06KE3BOSA1

osa: 338

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Teho - maks: 190W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

FS100R12KT4PB11BPSA1

osa: 239

FP35R12KT4B11BOSA1

osa: 372

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Teho - maks: 210W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A,